INE Link第6回は，日立ハイテク 大竹様よりご講演頂きました．FinFET / GAAや3D NAND / 3D DRAM構造など最先端のデバイスには3次元構造が検討されており，3次元構造を実現する等方性エッチングが強く求められています．まずドライエッチング技術で昨今検討が進むAtomic Layer Etchingについて，ガスフェーズエッチやラジカルエッチについて紹介して頂き，そのうえで，改質層を除去するドライ的アプローチと，低温化による疑似ウエットエッチアプローチを比較議論しました．今後，ウエットとドライの境界領域の学術的議論が広がり、類似性と差異の理解から新しい学問領域が生まれることを期待します．

■2022年12月9日(金) 15:00-17:00
■場所：オンライン(Zoom)
■講演
株式会社日立ハイテク プロセス東京技術センタ 部長代理 大竹浩人様
「最先端等方性ドライエッチ技術とウエットプロセスとのアナロジー」
■ モデレーター：
東京エレクトロン九州株式会社 中森光則様
■参加者数：約120名

【INE Linkとは】
新型コロナの影響により直接お会いする機会が少なくなっていますが，当研究会ではオンライン開催での交流機会を増やすべく，新しい研究や技術を紹介するイベント「INE Link」を企画しました．INE Linkは人と人，人と技術，技術と技術をつなげる「場」として、シリーズ開催しています．