6月20日(金) 13:30～17:00

13：30-13：55
接合関連学会の報告(2008IWJT、2008IIT)
○伊藤裕之(バリアン)

13：55-14：20
分光エリプソメターによるプレアモルファス層の評価
○柴田 聡(松下電器)

14：20-14：45
クラスタイオン注入装置
○濱本 成顕(日新イオン機器)

14：45-15：10
カーボン コインプラ技術を用いたエクステンションエンジニアリング
○籾山 陽一(富士通研)

15：10-15：30　休憩(20分)

15：30-15：55
LSAとSpike-RTAの組み合わせを用いたアニール技術の最適化
○遠藤 誠一(ルネサステクノロジ)

15：55-16：20
埋め込みSi：Cソース・ドレイン技術
○糸川 寛志(東芝)

16：20-16：45
微小領域におけるニッケルシリサイドの層抵抗均一性とその改善方法
○冨田 隆治(NECエレクトロニクス)

16：45-16：50
閉会の辞
○水野 文二(ユー・ジェー・ティー・ラボ)