2009年3月6日（金） 13:30-17:00
第110回 研究集会
| テーマ | シリコン単結晶ウェーハ製造におけるプロセス技術および評価のイノベーション |
|---|---|
| 参加費 | 通常分科会員 2000 円，非分科会員 4000 円。 |
プログラム
①先端半導体デバイスに要求される基板（仮） ㈱ルネサステクノロジ 松川 和人 （13:30～14:00）
②Siウェーハの研磨・洗浄 ㈱フジミインコーポレーテッド 森永 均 （14:00～14:30）
③研磨・アニール技術を用いたSi 表面の平坦化 コバレントマテリアル㈱ 磯貝 宏道 （14:30～15:00）
（休憩 20分）
④DSB(Direct Silicon Bonding)の界面構造 大阪大 酒井 朗 （15:20～15:50）
⑤ＤＳＢ基板の接合界面におけるゲッタリング（仮） 岡山県大 仮屋崎 弘昭 （15:50～16:20）
⑥Si 中での不純物拡散の対拡散モデル 吉田 正幸 （16:20～17:00）