座長 広木<京都工繊大>

1. 信頼性モデリングについて 10:40-10:50
小田中紳二 <阪大>

2. MIRAI-Selete耐外部擾乱デバイスプログラムにおける耐SET／耐ESD技術開発 10:50-11:30
熊代成孝、森下泰之 <selete>

昼食 11:30-13:00

座長 佐藤<富士通マイクロエレ>

3. High-k/MetalゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデル 13:00-13:40
佐藤基之 <selete>

4. MOSFETにおけるバイアス温度不安定性(BTI)モデルとシミュレーション 13:40-14:20
下川 淳二, 佐藤 基之, 鈴木 爾, 大倉 康幸, 大路 譲 <selete>

休息 14:20-14:40

座長 大倉<selete>

5. ソフトエラーのモデリング 14:40-15:20
中村 英之、田中 克彦、麻多 進、新澤 勉、刈谷 奈由太、古田 博伺、秋山 豊<NECエレクトロニクス(株)>

6. ランダム・テレグラフ・シグナルによる MOSFET のしきい値電圧変動の統計モデル 15:20-16:00
園田 賢一郎，谷沢 元昭，石川 清志，土屋 修，井上 靖朗 <(株)ルネサステクノロジ>