第131回 研究集会
| テーマ | IEDM 特集（先端 CMOS デバイス・プロセス技術） |
|---|---|
| 参加費 | 分科会員 1000 円、非分科会員 1500 円 |
プログラム
9:30 IEDM 2010 概要
石丸一成 （東芝セミコンダクター社）
9:55 Ni-InGaAs 合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレイン InxGa1-xAs MOSFETs
金相賢1、横山正史1、田岡紀之1、飯田亮1、李成薫1、中根了昌1、卜部友二2,宮田典幸2,安田哲二2, 山田永3, 福原昇3, 秦雅彦3,竹中充1，高木信一1 （1 東京大学、2 産総研、3 住友化学）
10:20 ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調：シリサイドの物理に基づく理論
中山隆史1, 角嶋邦之2, 中塚理3, 町田義明1, 五月女真一1,松木武雄4,5, 大毛利健治4,5, 岩井洋2, 財満鎭明3,知京豊裕6,白石賢二7, 山田啓作4,7 （1 千葉大, 2 東工大, 3 名古屋大, 4 早稲田大, 5 JST-CREST, 6 物材機構, 7 筑
波大）
10:45 Ge CMOS に適したチャネル界面パッシベーション
李忠賢、西村知紀、田畑俊行、王盛凱、長汐晃輔、喜多浩之、鳥海明 （東京大学）
11:10 RTN 測定による絶縁膜中トラップの位置、エネルギー、振幅、時定数の統計分布評価
南雲俊治、竹内潔、長谷卓、林喜宏（ルネサスエレクトロニクス）
11:35 昼休み（11:35-12:40）
12:40 GaN, SiC パワーデバイスの車載応用
兼近将一、上杉勉、加地徹 （豊田中央研究所）
13:05 酸素の化学ポテンシャルデザインに基づく MONOS 型メモリーの原子レベルの設計指針
山口慶太、神谷克政、大竹朗、*重田育照、白石賢二（筑波大学、*大阪大学）
13:30 DMA SRAM TEG により解析した SRAM のスタティックノイズマージンにおける DIBL ばらつきの影響
宋驍嵬1，鈴木誠1，更屋拓哉1，西田彰男2，角村貴昭2，蒲原史朗2，竹内潔2， 稲葉聡2，最上徹2，平本俊郎1,2（1 東京大学生産技術研究所，2 MIRAI-Selete）
13:55 高精度拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いた SRAM 不良ビットの直接観察及びメカニズム解明
張 利、原啓良1、木下敦寛、橋本庸幸1、早瀬洋平1、栗原美智男1、萩島大輔、石川貴之、竹野史郎 （東芝研究開発センター、 １東芝セミコンダクター社）
14:20 休憩（14:20-14:35）
14:35 高不純物濃度の ETSOI(Extremely-thin SOI)拡散層における移動度の異常な振る舞い
角谷直哉，高橋綱己，陳君琳，小寺哲夫，小田俊理，内田建（東京工業大学，JST さきがけ）
15:00 スティープ・サブスレショルド・スイング FET への新しいアプローチ
久本 大、斎藤慎一1、島 明生1、吉元広行1、鳥居和功1、武田英次（日立総合計画研究所、1 日立中研）
15:25 トライゲートナノワイヤ MOSFET の短チャネル移動度解析と Stress Memorization Technique(SMT)による性能向上
齋藤真澄、中林幸雄、太田健介、内田建*、沼田敏典 （東芝研究開発センター、*東京工業大学）
15:50 直径 10nm ナノワイヤ CMOS におけるキャリヤ輸送に関する研究
舘 喜一1,カッセ ミカエル2,バラッド シルバン2,ドュプレ セシリア2,ウベー アレクサンダー2,ブリエ ナタリー3,フェブレ マリー・エマニュエル2,ヴィジオズ クリスチャン2,カラバッセ キャサリン2,デライユ ヴァンソン2,ハートマン ジョン・ミッシェル2,岩井 洋 1,クリストロヴニュ ソリン4,フェノー オリビエ 2,アーンスト トーマ 2 （1 東京工業大学, 2 CEA-Leti, MINATEC, 3 STMicroelectronics, 4 グルノーブル工科大学）
16:15 総合討論