2011年1月31日(月) 9:30-17:00

第131回 研究集会

開催場所

機械振興会館 地下 3 階 研修 2 号室

(〒105-0011 東京都港区芝公園 3-5-8) http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm
テーマ IEDM 特集(先端 CMOS デバイス・プロセス技術)
参加費 分科会員 1000 円、非分科会員 1500 円

プログラム

9:30 IEDM 2010 概要
石丸一成 (東芝セミコンダクター社)

9:55 Ni-InGaAs 合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレイン InxGa1-xAs MOSFETs
金相賢1、横山正史1、田岡紀之1、飯田亮1、李成薫1、中根了昌1、卜部友二2,宮田典幸2,安田哲二2, 山田永3, 福原昇3, 秦雅彦3,竹中充1,高木信一1 (1 東京大学、2 産総研、3 住友化学)

10:20 ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調:シリサイドの物理に基づく理論
中山隆史1, 角嶋邦之2, 中塚理3, 町田義明1, 五月女真一1,松木武雄4,5, 大毛利健治4,5, 岩井洋2, 財満鎭明3,知京豊裕6,白石賢二7, 山田啓作4,7 (1 千葉大, 2 東工大, 3 名古屋大, 4 早稲田大, 5 JST-CREST, 6 物材機構, 7 筑 波大)

10:45 Ge CMOS に適したチャネル界面パッシベーション
李忠賢、西村知紀、田畑俊行、王盛凱、長汐晃輔、喜多浩之、鳥海明 (東京大学)

11:10 RTN 測定による絶縁膜中トラップの位置、エネルギー、振幅、時定数の統計分布評価
南雲俊治、竹内潔、長谷卓、林喜宏(ルネサスエレクトロニクス)

11:35 昼休み(11:35-12:40)

12:40 GaN, SiC パワーデバイスの車載応用
兼近将一、上杉勉、加地徹 (豊田中央研究所)

13:05 酸素の化学ポテンシャルデザインに基づく MONOS 型メモリーの原子レベルの設計指針
山口慶太、神谷克政、大竹朗、*重田育照、白石賢二(筑波大学、*大阪大学)

13:30 DMA SRAM TEG により解析した SRAM のスタティックノイズマージンにおける DIBL ばらつきの影響
宋驍嵬1,鈴木誠1,更屋拓哉1,西田彰男2,角村貴昭2,蒲原史朗2,竹内潔2, 稲葉聡2,最上徹2,平本俊郎1,2(1 東京大学生産技術研究所,2 MIRAI-Selete)

13:55 高精度拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いた SRAM 不良ビットの直接観察及びメカニズム解明
張 利、原啓良1、木下敦寛、橋本庸幸1、早瀬洋平1、栗原美智男1、萩島大輔、石川貴之、竹野史郎 (東芝研究開発センター、 1東芝セミコンダクター社)

14:20 休憩(14:20-14:35)

14:35 高不純物濃度の ETSOI(Extremely-thin SOI)拡散層における移動度の異常な振る舞い
角谷直哉,高橋綱己,陳君琳,小寺哲夫,小田俊理,内田建(東京工業大学,JST さきがけ)

15:00 スティープ・サブスレショルド・スイング FET への新しいアプローチ
久本 大、斎藤慎一1、島 明生1、吉元広行1、鳥居和功1、武田英次(日立総合計画研究所、1 日立中研)

15:25 トライゲートナノワイヤ MOSFET の短チャネル移動度解析と Stress Memorization Technique(SMT)による性能向上
齋藤真澄、中林幸雄、太田健介、内田建*、沼田敏典 (東芝研究開発センター、*東京工業大学)

15:50 直径 10nm ナノワイヤ CMOS におけるキャリヤ輸送に関する研究
舘 喜一1,カッセ ミカエル2,バラッド シルバン2,ドュプレ セシリア2,ウベー アレクサンダー2,ブリエ ナタリー3,フェブレ マリー・エマニュエル2,ヴィジオズ クリスチャン2,カラバッセ キャサリン2,デライユ ヴァンソン2,ハートマン ジョン・ミッシェル2,岩井 洋 1,クリストロヴニュ ソリン4,フェノー オリビエ 2,アーンスト トーマ 2 (1 東京工業大学, 2 CEA-Leti, MINATEC, 3 STMicroelectronics, 4 グルノーブル工科大学)

16:15 総合討論

17:00- 懇親会
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