2026年6月29日(月) 13:25-17:15

第266回 研究集会 シリコンテクノロジー分科会

開催場所

TCU Shibuya PXU(東京都市大学渋谷パクス)
〒150-0043 東京都渋谷区道玄坂1-10-7 五島育英会ビル8階(対面開催)

テーマ MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化 -材料・プロセス技術-
参加費 ・シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 口数分無料
・シリコン継続会員 無料
・シリテク分科会会員 2,000円
・その他 5,500円
・学生 無料
共催 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
応用物理学会、電子情報通信学会、東京都市大学渋谷パクス

プログラム

13:25~13:30 冒頭挨拶

(1) 13:30~14:05
[招待講演] ゲート・オール・アラウンド(GAA)構造を持つ積層シリコンナノシートトランジスタ試作に対応した300mm共有パイロットライン~半導体構造パラダイムシフトへの対応~
林 喜宏・入沢寿史(産総研)

(2) 14:05~14:40
[招待講演] Ge-on-Nothing構造に基づく高品質Ge-on-Insulator基板の作製
山本圭介(熊本大)・王 冬(九大)・Roger Loo・Clément Porret・
Valérie Depauw(imec)・Jinyoun Cho・Kristof Dessein(Umicore)

(3) 14:40~15:15
[招待講演] Sn系IV族混晶ヘテロ構造の結晶成長および量子物性制御
中塚 理・柴山茂久・黒澤昌志・坂下満男(名大)

--- 休憩(15:15~15:30)---

(4) 15:30~16:05
[招待講演] 導電性AFMによるWSe2の選択的欠陥イメージング
下村侑生・澤井悠太(NIMS/都立大)・榊原涼太郎・渡邊賢司・谷口 尚(NIMS)・
吉田昭二(筑波大)・宮田耕充(NIMS/都立大)

(5) 16:05~16:40
[招待講演] スピン分解顕微ARPESの開発と多結晶材料への応用
津田俊輔(NIMS)

(6) 16:40~17:15
[招待講演] 光電流顕微鏡による単一欠陥中心計測:ダイヤモンドNV中心の観測と空間分解能
中村駿希(東北大)・森岡直也・水落憲和(京大)・水上成美・森下弘樹(東北大)

このページの上部へ