2012年9月4日（火） 9:55-17:00
第152回 研究集会
開催場所
産業技術総合研究所 つくば第2事業所 本部・情報棟1F ネットワーク会議室
http://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html| テーマ | 最先端シリコンナノエレクトロニクスの動向と今後の展開 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会員 2000円、学生 2000円、その他 4000円 |
| お問い合わせ先 | 遠藤和彦（産業技術総合研究所） 電話・FAX TEL 029-861-3857 FAX 029-861-5170 e-mail endo.k@aist.go.jp |
プログラム
9:55-10:00 開会の辞 寒川誠二（東北大学）
(1) 10:00-11:00 『NANDフラッシュメモリーの現状と将来動向』 (基調講演) 作井康司（マイクロン）
(2) 11:00-11:45 『Si Photonics toward on-chip WDM』 和田一実（東大）
(3) 13:00-13:45 『シリコンナノデバイスの物性』 内田建（慶応大）
(4) 13:45-14:30 『量子ドットデバイス』 寒川誠二（東北大）
(5) 14:30-15:15 『３次元トランジスタ』 遠藤和彦（産総研）
(6) 15:30-16:15 『スピンデバイス』 安藤功兒（産総研）
(7) 15:15-17:00 『高移動度チャネルCMOSデバイス』 高木信一（東大）
プログラム終了後に懇親会を開催致します（会費3,000円）