0. 10:00-10:05
モデリング研究委員会から
廣木 彰 <モデリング研究委員会>

座長　山川真弥 <ソニー株式会社>

1. 10:05-10:55
[招待講演] 大規模第一原理計算による半導体デバイス・材料設計の可能性
岩田潤一<東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻>

2. 10:55-11:45
[招待講演] X線光電子分光の原理に基づいた誘電率・絶縁破壊電界の推定モデル
廣瀬和之 1，小林大輔 1，若尾周一郎 2，山本知之 2，関洋 3，泰岡顕治 3，澁谷寧浩 4，野平博司 4<1 宇宙研・東京大学，2 早稲田大学，3 慶応大学，4 東京都市大学>

昼食　11:45-13:00

座長　宇野重康 <立命館大学>

3. 13:00-13:40 リチウムイオン二次電池におけるシミュレーションの活用
河合孝純<ＮＥＣスマートエネルギー研究所>

4. 13:40-14:20 微小欠陥による金属不純物のゲッタリングに関する第一原理解析
前田貴弘 1 2, 末岡浩治 2, 泉妻宏治 1< 1 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社, 2 岡山県立大学大学院情報系工学研究科>

休憩

座長　大倉康幸 <㈱半導体理工学研究センター>

5. 14:30-15:10
GPU並列計算によるキャリア輸送シミュレーションの高速化
鈴木晃人 1, 今井裕也 1, 神岡武文 2, 鎌倉良成 3, 渡邉孝信 1< 1 早稲田大学, 2 豊田工業大学, 3 大阪大学>

6. 15:10-15:50
強結合分子動力学法を用いたグラフェンナノリボンの機械的変形と電子状態に関するシミュレーション
相馬聡文、貝野昭造、小川真人<神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻>

7. 15:50-16:30
シリコン量子細線におけるフォノン熱輸送に与える不純物質量の影響
服部淳一, 宇野重康<立命館大学, JST, CREST>

以上