2013年11月11日（月） 12:55-17:45
第165回 研究集会
開催場所
産業技術総合研究所 つくば中央第２事業所 本部・情報棟１F ネットワーク会議室
http://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html| テーマ | グラフェンナノデバイスの新しい展開 |
|---|---|
| 参加費 | シリコンテクノロジー分科会会員 2,000 円 インテリジェントナノプロセス研究会会員 2,000 円 フロンティアプロセス研究会 会員 2,000 円 非会員 4,000 円 参加申込方法 ：電子メールにてお申し込み下さい。(当日現地申込でもご参加頂けます) |
| 担当 | 種村眞幸（名工大）、寒川誠二（東北大学）、遠藤和彦（産総研） |
| 共催 | フロンティアプロセス研究会、インテリジェントナノプロセス研究会 |
| お問い合わせ先 | 氏名 遠藤和彦（産業技術総合研究所） TEL 029-861-3857 FAX 029-861-5170 e-mail endo.k@aist.go.jp |
プログラム
12:55-13:00 開会のあいさつ
13:00 初貝安弘「グラフェンのディラックコーンとゼロエネルギー局在状態」
13:45 塚越一仁 「原子膜半導体の伝導と散乱」
14:30 松本和彦「修飾グラフェンのバイオセンサー応用」
15:30 増渕覚「グラフェンナノ構造における量子輸送現象」
16:15 寒川誠二「超低損傷中性粒子ビームエッチングによる無欠陥グラフェンナノ構造の形成とデバイスへの展開」
17:00 二瓶 瑞久「ナノカーボン材料によるLSI排熱応用技術」
17:45 閉会のあいさつ
プログラム終了後に懇親会を開催致します（会費3,000円）
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