2015年2月13日(金) 13:00-

第178回 研究集会

今年度、プラズマ応用に係わる国際学会であるAVS(米国真空学会)、DPS(ドライプロセスシンポジウム)で優れた発表をされた8名の研究者にご講演いただき、デバイスプロセスとプラズマ技術の最新動向を深く掘り下げて、有機的に議論する。

開催場所

東京大学本郷キャンパス工学部9号館1階大会議室

(東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車) http://sogo.t.u-tokyo.ac.jp/access.html
テーマ 微細加工プロセスの最前線
参加費 Siテクノロジー分科会員2000円,非分科会員4000円
主催 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
協賛 応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会
企画 応物シリコンテクノロジー分科会ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会
お問い合わせ先 東京大学大学院工学系研究科  一木隆範 

プログラム

開会 13:00


13:00-15:00

佐々木 俊行(東芝) LaAlSiOxの加工、表面反応

重歳 卓志(ソニー) SiO2/Si界面の光・イオンダメージの解析

小林 勇気(東京エレクトロン)  プラズマドーピングのモニタリング

釜地義人(日立ハイテクノロジーズ) 副生成物によるプロセスドリフト


Coffee break


15:20-17:20

佐竹 真(日立中研) MRAM向けTaマスクのエッチング特性

中崎暢也(京大) Cl2プラズマSiエッチングにおける表面ラフネスの解析

劉沢セイ(名大) GaNの高温加工とダメージ

小川大輔(中部大) プラズマに曝された窒化ガリウム薄膜に対する低温処理効果

(一部、仮題につき、変更の可能性があります)

総合討論


閉会

終了後 懇親会 (当日受付 参加費 2000円)
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