0. 9:00-9:05
モデリング研究委員会から
廣木 彰 <モデリング研究委員会>

1. 9:05-9:55
[招待講演] SiC/SiO2界面の計算科学による考察
1白石賢二、2長川健太、1白川裕規、1洗平昌晃、3神谷克政、4渡部平司
<1名古屋大学大学院工学研究科、2筑波大学大学院数理物質科学研究科、3神奈川工科大学、4大阪大学大学院工学研究科>

2. 9:55-10:35
高耐圧アプリケーション向けGaN-MISFETの回路モデル化
溝口健
<東芝セミコンダクター＆ストレージ社>

3. 10:35-11:15
シミュレーションによる走査型探針測定の評価
松澤一也
<東芝研究開発センター>

昼食　11:15-13:00

4. 13:00-13:40
高移動度MOSFETのためのフェルミ-ディラック統計に基づいた量子エネルギー輸送モデル
鍾菁廣
<大阪大学>

5. 13:40-14:20
ナノ界面内包層状化合物におけるフォノン熱伝導の実空間解析
吉矢真人1,2、藤井進1、金山大祐1、宮内洋平1、多田昌浩1
<1. 大阪大学大学院工学研究科　知能・機能創成工学専攻 2.ファインセラミックスセンター(JFCC)　ナノ構造研究所>

休憩　14:20-14:40

6. 14:40-15:20
最低熱伝導率計算による不規則材料のフォノン熱伝導率の概算
桂ゆかり
<東京大学大学院工学系研究科>

7. 15:20-16:00
モンテカルロ法によるナノスケールFETの自己発熱解析
鎌倉良成、脇村豪、土屋英昭、森伸也
<大阪大学大学院工学研究科、神戸大学大学院工学研究科>

8. 16:00-16:40
ナノスケール熱輸送に関するシミュレーション
塩見淳一郎
<東京大学大学院工学系研究科>

以上