2018年1月30日(火) 11:00－16:30
第204回 研究集会
開催場所
機械振興会館 B3F 研修1号室（東京都港区）
| テーマ | ULSIデバイス・プロセス技術（IEDM2017特集） |
|---|---|
| 参加費 | 分科会会員1,000円、非会員2,000円 |
| 主催 | ULSIデバイス委員 |
| 共催 | 電子情報通信学会SDM |
プログラム
(1)11:00-11:30
[招待講演]過渡解析TCAD シミュレーションによる強誘電体負性容量FinFET トランジスタの考察
○太田裕之, 右田真司, 池上 努, 服部淳一, 浅井栄大, 福田浩一, 鳥海 明1
産業技術総合研究所, 1 東京大学大学院工学研究科
(2)11:30-12:00
[招待講演]Type-II エネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／（Si, SiGe, Ge）積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
○加藤公彦, 松井裕章, 田畑 仁, 竹中 充, 高木 信一
東京大学大学院工学系研究科
(3)13:30-14:00
[招待講演]VTH Nearingによる3D-NAND 型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術
○溝口恭史, 小滝翔平, 出口慶明, 竹内 健
中央大学理工学部
(4)14:00-14:30
[招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
○津田是文, 斉藤朋也, 長瀬寛和, 川嶋祥之, 吉冨敦司, 岡西 忍, 林 倫弘, 丸山卓也,井上真雄, 村中誠志, 加藤茂樹, 萩原琢也, 齊藤博和, 山口 直, 門島 勝, 丸山隆弘,三原竜善, 柳田博史, 園田賢一郎, 山下朋弘, 山口泰男
ルネサスエレクトロニクス
(5)15:00-15:30
[招待講演]STDP Synapse with Outstanding Stability based on a Novel Insulator-to-2D-Metal Transition FET
○Pablo STOLIAR1, Alejandro SCHULMAN, Ai KITOH, Akihito SAWA,Isao H. INOUE
産業技術総合研究所, CIC nanoGUNE1
(6)15:30-16:00
[招待講演]Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties
○X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita1, A. Toriumi
東京大学大学院工学系研究科, 産業技術総合研究所1
(7)16:00-16:30
[招待講演]IEDM2017を振り返って
○高柳万里子(東芝)
[招待講演]過渡解析TCAD シミュレーションによる強誘電体負性容量FinFET トランジスタの考察
○太田裕之, 右田真司, 池上 努, 服部淳一, 浅井栄大, 福田浩一, 鳥海 明1
産業技術総合研究所, 1 東京大学大学院工学研究科
(2)11:30-12:00
[招待講演]Type-II エネルギーバンド構造を有する酸化物半導体／（Si, SiGe, Ge）積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
○加藤公彦, 松井裕章, 田畑 仁, 竹中 充, 高木 信一
東京大学大学院工学系研究科
(3)13:30-14:00
[招待講演]VTH Nearingによる3D-NAND 型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術
○溝口恭史, 小滝翔平, 出口慶明, 竹内 健
中央大学理工学部
(4)14:00-14:30
[招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
○津田是文, 斉藤朋也, 長瀬寛和, 川嶋祥之, 吉冨敦司, 岡西 忍, 林 倫弘, 丸山卓也,井上真雄, 村中誠志, 加藤茂樹, 萩原琢也, 齊藤博和, 山口 直, 門島 勝, 丸山隆弘,三原竜善, 柳田博史, 園田賢一郎, 山下朋弘, 山口泰男
ルネサスエレクトロニクス
(5)15:00-15:30
[招待講演]STDP Synapse with Outstanding Stability based on a Novel Insulator-to-2D-Metal Transition FET
○Pablo STOLIAR1, Alejandro SCHULMAN, Ai KITOH, Akihito SAWA,Isao H. INOUE
産業技術総合研究所, CIC nanoGUNE1
(6)15:30-16:00
[招待講演]Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties
○X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita1, A. Toriumi
東京大学大学院工学系研究科, 産業技術総合研究所1
(7)16:00-16:30
[招待講演]IEDM2017を振り返って
○高柳万里子(東芝)