2018年11月26日(月) 13:00-18:00

第212回研究集会

開催場所

応用物理学会 応物会館 3階会議室 (根津神社の真ん前)

東京メトロ 千代田線 根津駅(1番出口より徒歩6分)
東京メトロ 南北線 東大前駅(1番出口より徒歩7分)
根津神社の真ん前に応物会館がございます。
https://www.jsap.or.jp/about_jsap/office
テーマ 半導体素子におけるフォノンのダイナミクスとエンジニアリング
参加費 シリテク分科会会員2,000円,その他4,000円
担当 寒川誠二(東北大)、野村政宏(東大)、遠藤和彦(産総研)
主催 シリコンナノテクノロジー委員会
WebサイトURL https://annex.jsap.or.jp/silicon/activity/studyGroup/212

プログラム

13:00-13:05 はじめに

(1)13:05-13:40
[招待講演] 「ナノスケールサーマルマネージメントとは」
馬場 寿夫 科学技術振興機構 

(2)13:40-14:15
[招待講演] 「MOSトランジスタにおけるキャリアのフォノン散乱」
高木 信一 東京大学

(3)14:15-14:50 
[招待講演] 「電子フォノン相互作用の第一原理計算」
南谷 英美 東京大学

(4)15:00-15:35 
[招待講演] 「電子とフォノンのマルチフィジクスシミュレーション」
森 伸也 大阪大学

(5)15:35-16:10 
[招待講演] 「ナノ構造半導体チャネルにおける電子-フォノン散乱」
内田 建 慶応大学

(6)16:10-16:45 
[招待講演] 「無欠陥ナノ周期構造による半導体チャネルのフォノン場制御」
寒川 誠二 東北大学

(7)16:45-17:20 
[招待講演] 「3ω法によるナノスケール熱伝導率の測定とフォノン輸送の制御」
山本 淳 産業技術総合研究所

(8)17:20-17:55 
[招待講演]  「ナノ構造化によるシリコン薄膜のフォノン輸送制御」
野村 政宏  東京大学
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