2019年1月29日(火) 9:30-16:30
第213回研究集会
皆様のご来場、お待ちしております。
| テーマ | ULSIデバイス・プロセス技術（IEDM2018特集） |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員2,000円、一般4,000円、学生2,000円 |
| 主催 | ULSIデバイス研究委員会 |
| 共催 | 電子情報通信学会SDM |
プログラム
9:30～9:55
強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
○太田裕之・池上 努・福田浩一・服部淳一・浅井栄大・遠藤和彦・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大）
9:55～10:20
強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析
○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大）
10:20～10:45
負性容量効果をどのように理解するか
○鳥海 明（東大）
10:45～11:00 休憩 （ 15分 ）
11:10～11:25
The Relationship between Polarization Switching and Subthreshold Behavior in HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET: An Experimental Study
○Chengji Jin（Univ. of Tokyo）
11:25～11:50
Simulation study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method with Self-consistent Potential
○Fei Mo（Univ. of Tokyo）
11:50～13:20 昼食 （ 90分 ）
13:20～13:45
サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発
○山口 直・張 田田・大森和幸・島田康弘・国宗依信・井手 隆・井上真雄・松浦正純（ルネサス エレクトロニクス）
13:45～14:10
HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作
○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大）
14:10～14:35
Demonstration of high-speed switching, high thermal stability, and high endurance in 128Mb-density STT-MRAM by development of integration process
○佐藤英夫・遠藤哲郎（東北大）
14:35～14:50 休憩 （ 15分 ）
14:50～15:15
ナノインプリントによるハーフピッチ14nm直接パターニング
○中杉哲郎（東芝メモリ）
15:15～15:40
固体量子情報デバイスの実現に向けたシリコン同位体技術
○宮本 聡（慶大）・宇佐美徳隆（名大）・伊藤公平（慶大）
15:40～16:05
5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子・齋藤 渉（東芝）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大）・平本俊郎（東大）
16:05～16:30
IEDM2018を振り返って
○黒田理人（東北大）
強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
○太田裕之・池上 努・福田浩一・服部淳一・浅井栄大・遠藤和彦・右田真司（産総研）・鳥海 明（東大）
9:55～10:20
強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析
○右田真司・太田裕之（産総研）・鳥海 明（東大）
10:20～10:45
負性容量効果をどのように理解するか
○鳥海 明（東大）
10:45～11:00 休憩 （ 15分 ）
11:10～11:25
The Relationship between Polarization Switching and Subthreshold Behavior in HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET: An Experimental Study
○Chengji Jin（Univ. of Tokyo）
11:25～11:50
Simulation study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method with Self-consistent Potential
○Fei Mo（Univ. of Tokyo）
11:50～13:20 昼食 （ 90分 ）
13:20～13:45
サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発
○山口 直・張 田田・大森和幸・島田康弘・国宗依信・井手 隆・井上真雄・松浦正純（ルネサス エレクトロニクス）
13:45～14:10
HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作
○宮田典幸（産総研）・奈良 純・山崎隆浩（物質・材料研究機構）・住田杏子（産総研）・佐野良介・野平博司（東京都市大）
14:10～14:35
Demonstration of high-speed switching, high thermal stability, and high endurance in 128Mb-density STT-MRAM by development of integration process
○佐藤英夫・遠藤哲郎（東北大）
14:35～14:50 休憩 （ 15分 ）
14:50～15:15
ナノインプリントによるハーフピッチ14nm直接パターニング
○中杉哲郎（東芝メモリ）
15:15～15:40
固体量子情報デバイスの実現に向けたシリコン同位体技術
○宮本 聡（慶大）・宇佐美徳隆（名大）・伊藤公平（慶大）
15:40～16:05
5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子・齋藤 渉（東芝）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大）・平本俊郎（東大）
16:05～16:30
IEDM2018を振り返って
○黒田理人（東北大）