2019年2月7日 10:00-16:55
第214回研究集会
多層配線システム研究会では、今年も電子情報通信学会SDMと共催で研究会を開催いたします。SSDM, IEDM, IITCなどの国際会議に日本から発表された内容をオール招待講演としてプログラムしています。配線の材料・プロセス技術に特化した集会として貴重な機会と思います。奮ってご参加をお願いいたします。
| テーマ | 「配線・実装技術と関連材料技術」 （集積回路・MEMS等における配線・実装技術全般、デバイス、プロセス、材料） |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員1,500円、一般2,000円、学生1,000円 |
| 主催 | シリコンテクノロジー分科会多層配線システム研究会 |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 |
| お問い合わせ先 | 応用物理学会/シリコンテクノロジー分科会/多層配線システム研究会： 山梨大学 近藤英一 kondoh@yamanashi.ac.jp 電子情報通信学会/シリコン材料・デバイス研究会 ルネサスセミコンダクタマニュファクチュアリング株式会社 宇佐美 達矢 e-mail: tatsuya.usami.vz@renesas.com パナソニック・タワージャズ株式会社 平野 博茂 e-mail: hirano.hiroshige@tpsemico.com |
プログラム
10:00-10:05 開会 （ 5分 ）
(1) 10:05-10:45 [招待講演]高精度デュアルダマシン加工技術
○早川 崇・藤川 誠・野沢秀二・山口達也（TEL）
(2) 10:45-11:25 ［招待講演］ナノインプリントによるハーフピッチ14nm直接パターニング
○中杉哲郎（東芝メモリ）
(3) 11:25-12:05 [招待講演]誘導自己組織化による極微細三次元配線形成技術
○福島誉史・マリアッパン ムルゲサン・小柳光正（東北大）
12:05-13:10 昼食 （ 65分 ）
(4) 13:10-13:50 [招待講演]Stress Investigation of Annular-Trench-Isolated (ATI) Through Silicon Via (TSV)
○Wei Feng・Naoya Watanabe・Haruo Shimamoto・Masahiro Aoyagi・Katsuya Kikuchi（AIST）
(5) 13:50-14:30 [招待講演]めっき銅薄膜配線の機械特性とEM耐性の結晶粒界品質依存性
罗 轶凡・名越優太郎・水野涼太・鈴木 研・○三浦英生（東北大）
(6) 14:30-15:10 ［招待講演］p型GaN上に形成した単結晶Al配線およびそのGaN FETへの応用
○原田剛史・宇高孝二・神田裕介・大西克彦・松永啓一・引田正洋・上本康裕（パナソニック）
15:10-15:30 休憩 （ 20分 ）
(7) 15:30-16:10 ［招待講演］微細CMOS向け新コンタクト材料：クラスター気相合成法で形成したSiリッチWシリサイド膜
○岡田直也・内田紀行・小川真一・金山敏彦（産総研）
(8) 16:10-16:50 ［招待講演］平坦なAuナノ薄膜を有する大気中にて常温接合可能な基板作製技術
○松前貴司・山本道貴・倉島優一・日暮栄治・高木秀樹（産総研）
16:50-16:55 閉会 （ 5分 ）
講演時間：招待講演 発表30分 ＋ 質疑応答10分
■情報交換会■
終了後に情報交換会を行います（参加費3,000円）
(1) 10:05-10:45 [招待講演]高精度デュアルダマシン加工技術
○早川 崇・藤川 誠・野沢秀二・山口達也（TEL）
(2) 10:45-11:25 ［招待講演］ナノインプリントによるハーフピッチ14nm直接パターニング
○中杉哲郎（東芝メモリ）
(3) 11:25-12:05 [招待講演]誘導自己組織化による極微細三次元配線形成技術
○福島誉史・マリアッパン ムルゲサン・小柳光正（東北大）
12:05-13:10 昼食 （ 65分 ）
(4) 13:10-13:50 [招待講演]Stress Investigation of Annular-Trench-Isolated (ATI) Through Silicon Via (TSV)
○Wei Feng・Naoya Watanabe・Haruo Shimamoto・Masahiro Aoyagi・Katsuya Kikuchi（AIST）
(5) 13:50-14:30 [招待講演]めっき銅薄膜配線の機械特性とEM耐性の結晶粒界品質依存性
罗 轶凡・名越優太郎・水野涼太・鈴木 研・○三浦英生（東北大）
(6) 14:30-15:10 ［招待講演］p型GaN上に形成した単結晶Al配線およびそのGaN FETへの応用
○原田剛史・宇高孝二・神田裕介・大西克彦・松永啓一・引田正洋・上本康裕（パナソニック）
15:10-15:30 休憩 （ 20分 ）
(7) 15:30-16:10 ［招待講演］微細CMOS向け新コンタクト材料：クラスター気相合成法で形成したSiリッチWシリサイド膜
○岡田直也・内田紀行・小川真一・金山敏彦（産総研）
(8) 16:10-16:50 ［招待講演］平坦なAuナノ薄膜を有する大気中にて常温接合可能な基板作製技術
○松前貴司・山本道貴・倉島優一・日暮栄治・高木秀樹（産総研）
16:50-16:55 閉会 （ 5分 ）
講演時間：招待講演 発表30分 ＋ 質疑応答10分
■情報交換会■
終了後に情報交換会を行います（参加費3,000円）