2020年2月7日(金) 9:20-17:00
第222回研究集会
| テーマ | 「配線・実装技術と関連材料技術」 （集積回路・MEMS等における配線・実装技術全般、デバイス、プロセス、材料） |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員2,000円、一般6,000円、学生2,000円 |
| 主催 | シリコンテクノロジー分科会多層配線システム研究会 |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会 |
| お問い合わせ先 | 応用物理学会/シリコンテクノロジー分科会/多層配線システム研究会： 山梨大学 近藤英一 kondoh@yamanashi.ac.jp |
プログラム
−−− 開会 （ 5分 ） −−−
(1) 09:20 - 09:35
BTA-H2O2溶液中Cu, Co表面の保護膜形成に関する考察
○近藤英一・遠山真央・竹内翔太・金 蓮花（山梨大）・小篠涼太・濱田聡美・嶋 昇平・檜山浩國（荏原製作所）
(2) 09:35 - 10:10
［招待講演］強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果
○山口 直・前川径一・大原隆裕・天羽生 淳・佃 栄次・園田賢一郎・柳田博史・井上真雄・松浦正純・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス）
(3) 10:10 - 10:45
［招待講演］CMP後洗浄後の銅配線表面の安定性
○河瀬康弘・柴田俊明・草野智博（三菱ケミカル）・原田 憲（imec）・竹下 寛（三菱ケミカル）
(4) 10:45 - 11:20
［招待講演］Role of Electroless-Ni Plating in the TSV Fabrication for 3D-Integration
○Murugesan Mariappan・Takafumi Fukushima（Tohoku Univ.）
(5) 11:20 - 11:55 ［招待講演］高精度デュアルダマシン加工技術
藤川 誠・山口達也（TTS）・菊地裕樹・前川 薫（TTCA）・河崎洋章・○飯塚洋二（東京エレクトロン）
−−− 昼食 （ 95分 ） −−−
(6) 13:30 - 14:20
［特別招待講演］極微細配線の課題解決に向けた金属間化合物の可能性
○小池淳一・チェン リンハン（東北大）・横川慎二（電通大）
(7) 14:20 - 14:55
［招待講演］真空紫外光を用いた印刷・めっきによる配線技術
○三成剛生・李 万里・孫 晴晴・李 玲頴（物材機構）・リュウ シューイン（鄭州大）
(8) 14:55 - 15:30
［招待講演］異種デバイスの高密度実装用極薄接合材料
○茅場靖剛・中村雄三・鎌田 潤・高村一夫（三井化学）
−−− 休憩 （ 20分 ） −−−
(9) 15:50 - 16:25
［招待講演］Thermal Boundary Resistance of Metal/Dielectric Interfaces in Silicon Nanowire Thermoelectric Generators
○Tianzhuo Zhan（Waseda Univ.）
(10) 16:25 - 17:00
［招待講演］裏面照射型CMOSイメージセンサにおける光学機能拡張
○横川創造（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
17:00-17:05 閉会 （ 5分 ）
■情報交換会■
終了後に情報交換会を行います。参加費3,000円は当日支払いです。
(1) 09:20 - 09:35
BTA-H2O2溶液中Cu, Co表面の保護膜形成に関する考察
○近藤英一・遠山真央・竹内翔太・金 蓮花（山梨大）・小篠涼太・濱田聡美・嶋 昇平・檜山浩國（荏原製作所）
(2) 09:35 - 10:10
［招待講演］強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果
○山口 直・前川径一・大原隆裕・天羽生 淳・佃 栄次・園田賢一郎・柳田博史・井上真雄・松浦正純・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス）
(3) 10:10 - 10:45
［招待講演］CMP後洗浄後の銅配線表面の安定性
○河瀬康弘・柴田俊明・草野智博（三菱ケミカル）・原田 憲（imec）・竹下 寛（三菱ケミカル）
(4) 10:45 - 11:20
［招待講演］Role of Electroless-Ni Plating in the TSV Fabrication for 3D-Integration
○Murugesan Mariappan・Takafumi Fukushima（Tohoku Univ.）
(5) 11:20 - 11:55 ［招待講演］高精度デュアルダマシン加工技術
藤川 誠・山口達也（TTS）・菊地裕樹・前川 薫（TTCA）・河崎洋章・○飯塚洋二（東京エレクトロン）
−−− 昼食 （ 95分 ） −−−
(6) 13:30 - 14:20
［特別招待講演］極微細配線の課題解決に向けた金属間化合物の可能性
○小池淳一・チェン リンハン（東北大）・横川慎二（電通大）
(7) 14:20 - 14:55
［招待講演］真空紫外光を用いた印刷・めっきによる配線技術
○三成剛生・李 万里・孫 晴晴・李 玲頴（物材機構）・リュウ シューイン（鄭州大）
(8) 14:55 - 15:30
［招待講演］異種デバイスの高密度実装用極薄接合材料
○茅場靖剛・中村雄三・鎌田 潤・高村一夫（三井化学）
−−− 休憩 （ 20分 ） −−−
(9) 15:50 - 16:25
［招待講演］Thermal Boundary Resistance of Metal/Dielectric Interfaces in Silicon Nanowire Thermoelectric Generators
○Tianzhuo Zhan（Waseda Univ.）
(10) 16:25 - 17:00
［招待講演］裏面照射型CMOSイメージセンサにおける光学機能拡張
○横川創造（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
17:00-17:05 閉会 （ 5分 ）
■情報交換会■
終了後に情報交換会を行います。参加費3,000円は当日支払いです。