2021年2月5日(金)
第225回 研究集会
開催場所
オンライン開催
| テーマ | 配線・実装技術～IITC, SSDM特集～ |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員 無料 その他 5,500円 学生 1,100円 |
| 担当 | 問合せ先： 山梨大・近藤英一 kondoh@yamanashi.ac.jp |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ） |
プログラム
プログラム
13:00 開会の辞
13:05 「招待講演］Process Integration of Ru Area Selective Metal Capping for sub 30nm Pitch Cu Damascene Interconnect
○Hirokazu Aizawa（TEL Technology Center America）
13:45 熱力学シミュレーションを用いたCo合金単層バリア材料の探索
○山田裕貴・矢作政隆・小池淳一（東北大）
14:05 TaN薄膜のバリア特性の限界
○久家俊洋・矢作政隆・小池淳一（東北大）
14:25 ［招待講演］1umピッチCu-Cu接続に対する接合ずれの影響
○香川恵永・上林拓海・羽根田雅紀・藤井宣年・古瀬駿介・橋口日出登・平野智之・岩元勇人（SSS)
15:05 休息
15:20 ［招待講演］材料開発のためのAIと、AIのための材料開発
○山道新太郎（日本IBM）
16:00 ［招待講演］3次元集積実装技術の現状と今後の展開
○菊地克弥（産総研）
16:40 ［招待講演］3D冗長とWafer-on-Wafer(WOW) テクノロジを用いたBumpless-Build-Cube(BBCube)
○菅谷慎二・中條徳男・作井康司・良尊弘幸・中村友二・大場隆之（東工大）
17:20 閉会の辞
↓のボタンではなく↑のURLから参加申込を行ってください。
13:00 開会の辞
13:05 「招待講演］Process Integration of Ru Area Selective Metal Capping for sub 30nm Pitch Cu Damascene Interconnect
○Hirokazu Aizawa（TEL Technology Center America）
13:45 熱力学シミュレーションを用いたCo合金単層バリア材料の探索
○山田裕貴・矢作政隆・小池淳一（東北大）
14:05 TaN薄膜のバリア特性の限界
○久家俊洋・矢作政隆・小池淳一（東北大）
14:25 ［招待講演］1umピッチCu-Cu接続に対する接合ずれの影響
○香川恵永・上林拓海・羽根田雅紀・藤井宣年・古瀬駿介・橋口日出登・平野智之・岩元勇人（SSS)
15:05 休息
15:20 ［招待講演］材料開発のためのAIと、AIのための材料開発
○山道新太郎（日本IBM）
16:00 ［招待講演］3次元集積実装技術の現状と今後の展開
○菊地克弥（産総研）
16:40 ［招待講演］3D冗長とWafer-on-Wafer(WOW) テクノロジを用いたBumpless-Build-Cube(BBCube)
○菅谷慎二・中條徳男・作井康司・良尊弘幸・中村友二・大場隆之（東工大）
17:20 閉会の辞
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