2021年2月5日(金)

第225回 研究集会

開催場所

オンライン開催

テーマ 配線・実装技術~IITC, SSDM特集~
参加費 シリテク分科会会員 無料 その他 5,500円 学生 1,100円
担当 問合せ先:  山梨大・近藤英一  kondoh@yamanashi.ac.jp
主催 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
共催 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

プログラム

プログラム

13:00 開会の辞

13:05 「招待講演]Process Integration of Ru Area Selective Metal Capping for sub 30nm Pitch Cu Damascene Interconnect
○Hirokazu Aizawa(TEL Technology Center America)

13:45 熱力学シミュレーションを用いたCo合金単層バリア材料の探索
○山田裕貴・矢作政隆・小池淳一(東北大)

14:05 TaN薄膜のバリア特性の限界
○久家俊洋・矢作政隆・小池淳一(東北大)

14:25 [招待講演]1umピッチCu-Cu接続に対する接合ずれの影響
○香川恵永・上林拓海・羽根田雅紀・藤井宣年・古瀬駿介・橋口日出登・平野智之・岩元勇人(SSS)

15:05 休息

15:20 [招待講演]材料開発のためのAIと、AIのための材料開発
○山道新太郎(日本IBM)

16:00 [招待講演]3次元集積実装技術の現状と今後の展開
○菊地克弥(産総研)

16:40 [招待講演]3D冗長とWafer-on-Wafer(WOW) テクノロジを用いたBumpless-Build-Cube(BBCube)
○菅谷慎二・中條徳男・作井康司・良尊弘幸・中村友二・大場隆之(東工大)

17:20 閉会の辞

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