2021年11月25日(木) 13:00～17:00
第231回 研究集会
開催場所
オンライン開催
| テーマ | 3/2nm世代hCFETにおける要素技術と今後の展開 |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員 2,000円 その他 6,000円 学生 2,000円 |
| 主催 | Siナノテクノロジー研究委員会 |
プログラム
(1) 13:00-13:05
はじめに
（産業技術総合研究所・遠藤和彦）
(2) 13:05-13:50
hCFETデバイス開発動向と今後の展望
（産業技術総合研究所・張文馨）
(3) 13:50-14:35
低温接合技術
（産業技術総合研究所・高木秀樹）
--- 休憩10分 ---
(4) 14:45-15:30
CMP技術
（荏原製作所・檜山浩國）
(5) 15:30-16:15
レーザープロセスを用いたIV族系半導体の結晶成長とドーピング
（九州大学・佐道泰造、片山慶太、池上浩、白谷正治）
(6) 16:15-17:00
原子層加工技術
（東北大学・寒川誠二）
はじめに
（産業技術総合研究所・遠藤和彦）
(2) 13:05-13:50
hCFETデバイス開発動向と今後の展望
（産業技術総合研究所・張文馨）
(3) 13:50-14:35
低温接合技術
（産業技術総合研究所・高木秀樹）
--- 休憩10分 ---
(4) 14:45-15:30
CMP技術
（荏原製作所・檜山浩國）
(5) 15:30-16:15
レーザープロセスを用いたIV族系半導体の結晶成長とドーピング
（九州大学・佐道泰造、片山慶太、池上浩、白谷正治）
(6) 16:15-17:00
原子層加工技術
（東北大学・寒川誠二）
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