2021年11月25日(木) 13:00~17:00

第231回 研究集会

開催場所

オンライン開催

テーマ 3/2nm世代hCFETにおける要素技術と今後の展開
参加費 シリテク分科会会員 2,000円
その他 6,000円
学生 2,000円
主催 Siナノテクノロジー研究委員会

プログラム

(1) 13:00-13:05
  はじめに
 (産業技術総合研究所・遠藤和彦)

(2) 13:05-13:50
  hCFETデバイス開発動向と今後の展望
 (産業技術総合研究所・張文馨)

(3) 13:50-14:35
  低温接合技術
 (産業技術総合研究所・高木秀樹)

 --- 休憩10分 ---

(4) 14:45-15:30
  CMP技術
 (荏原製作所・檜山浩國)

(5) 15:30-16:15
  レーザープロセスを用いたIV族系半導体の結晶成長とドーピング
 (九州大学・佐道泰造、片山慶太、池上浩、白谷正治)

(6) 16:15-17:00
  原子層加工技術
 (東北大学・寒川誠二)


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