(1)　13:10～13:15
分科会幹事からのアナウンス

(2)　13:15～13:45
16nm Fin FET プロセス 混載STT-MRAM における72％の書込みエネルギー低減を達成したセルフターミネーション書込み方式
斉藤 朋也（ルネサスエレクトロニクス）

(3)　13:45～14:15
大容量STT-MRAM向け一桁ナノメートル磁気トンネル接合技術
陣内 佛霖（東北大学材料科学高等研究所）

(4)　 14:15～14:45
高速荷電中心解析によるチャージトラップのダイナミクス把握に基づくHfO2-FeFETサイクル劣化メカニズム解明
市原 玲華（キオクシア）

−−−　休憩　（ 15分 ）　−−−

(5)　15:00～15:30
表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜 nMOSFET の最適なチャネル材料と面方位の設計
隅田 圭（東京大学）

(6)　15:30～16:00
CAAC-IGZO FET/Si CMOS 微小電流メモリセルによる高演算効率アナログインメモリコンピューティング
黒川 義元（半導体エネルギー研究所）

(7)　16:00～16:30
3Dシーケンシャル技術を用いたCMOSイメージセンサー
山元 純平（ソニーセミコンダクターソリューションズ）

(8)　16:30～17:00
IEDM2021を振り返って
黒田 理人（東北大学）

・参加登録しめきりを1月31日まで延長いたします。
・下記参加申し込みから申し込みいただき支払いが完了した方には、WebEx 会議リンクおよびテキストのダウンロード情報をご案内いたします。
・支払済みのお申し込みはキャンセルできませんのでご了承ください。