2023年2月7日(火) 10:00〜17:00
第241回 研究集会
開催場所
東京大学・本郷・武田ホール（住所：〒113-8654 文京区本郷7-3-1）
Hybridで開催
| テーマ | 配線・実装技術と関連材料技術 |
|---|---|
| 参加費 | シリテク分科会会員 2,000円 その他 5,500円 学生 1,100円 エレクトロニクス実装学会会員 2,000円 シリコン継続会員，シリコンテクノロジー分科会特別会員・賛助会員 無料 |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
| 共催 | 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ） |
| 協賛 | エレクトロニクス実装学会 |
| お問い合わせ先 | アプライド・マテリアルズ・ジャパン 松永範昭 noriaki_matsunaga@amat.com |
プログラム
−−− 10:00-10:05 開会（ 5分 ） −−−
(1) 10:05-10:45
［招待講演］Cu配線以降の代替金属配線におけるメタル成膜起因の配線幅ばらつきとその抑制方法
○本山幸一（IBM）
(2) 10:45-11:25
［招待講演］先端3D構造ロジック・メモリデバイスにおける原子層等方加工技術
○大竹浩人（日立ハイテク）
(3) 11:25-12:05
［招待講演］2nm世代以降のロジックデバイスにむけた先端プロセス技術
○山本知成（TEL）
−−− 12:05-13:20 昼食（ 75分 ） −−−
(4) 13:20-14:00
［招待講演］BSIピクセルピッチハイブリッド接合および3層積層技術
○谷田一真・鈴木 繁・瀬尾俊紀・森永泰規・興梠隼人・手谷道成・浜田政一・江藤竜二・山下武志・加藤靖啓・佐藤直昭・清水但美・塙 哲郎・久保裕子・伊藤史隆・野口佳裕・中村成志・水越隆司・竹内雅彦・鈴木政勝・新添真人・宮永 績・池田 敦・松本 晋（TPSCo）
(5) 14:00-14:40
［招待講演］表面活性化接合の常温ヘテロインテグレーションへの適用
○須賀唯知（明星大）
(6) 14:40-15:20
［招待講演］New Approach for Epoxy Mold Compound Slurry in Advanced
Packaging Technology
○Shogo Arata・Chiaki Noda・Yasuhiro Ichige・Satoyuki
Nomura（Resonac）・Trianggono Widodo・Nagatoshi Tsunoda・Xavier Brun（Intel）
−−− 15:20-15:35 休憩（ 15分 ） −−−
(7) 15:35-16:15
［招待講演］イオン液体中の電気化学反応を用いたIntelligent Connection
Deviceの温度依存性
○小林正和（長瀬産業）・島 久・内藤泰久・秋永広幸（産総研）・佐藤 暖・松尾拓真・米澤雅陽・木下健太郎（東京理科大）・伊藤敏幸（豊田理研）・野上利材（鳥取大）・折井靖光（長瀬産業）
(8) 16:15-16:55
［招待講演］次世代ウェアラブルデバイス：スキンエレクトロニクス
○李 成薫（東大）
−−− 16:55-17:00 閉会（ 5分 ） −−−
(1) 10:05-10:45
［招待講演］Cu配線以降の代替金属配線におけるメタル成膜起因の配線幅ばらつきとその抑制方法
○本山幸一（IBM）
(2) 10:45-11:25
［招待講演］先端3D構造ロジック・メモリデバイスにおける原子層等方加工技術
○大竹浩人（日立ハイテク）
(3) 11:25-12:05
［招待講演］2nm世代以降のロジックデバイスにむけた先端プロセス技術
○山本知成（TEL）
−−− 12:05-13:20 昼食（ 75分 ） −−−
(4) 13:20-14:00
［招待講演］BSIピクセルピッチハイブリッド接合および3層積層技術
○谷田一真・鈴木 繁・瀬尾俊紀・森永泰規・興梠隼人・手谷道成・浜田政一・江藤竜二・山下武志・加藤靖啓・佐藤直昭・清水但美・塙 哲郎・久保裕子・伊藤史隆・野口佳裕・中村成志・水越隆司・竹内雅彦・鈴木政勝・新添真人・宮永 績・池田 敦・松本 晋（TPSCo）
(5) 14:00-14:40
［招待講演］表面活性化接合の常温ヘテロインテグレーションへの適用
○須賀唯知（明星大）
(6) 14:40-15:20
［招待講演］New Approach for Epoxy Mold Compound Slurry in Advanced
Packaging Technology
○Shogo Arata・Chiaki Noda・Yasuhiro Ichige・Satoyuki
Nomura（Resonac）・Trianggono Widodo・Nagatoshi Tsunoda・Xavier Brun（Intel）
−−− 15:20-15:35 休憩（ 15分 ） −−−
(7) 15:35-16:15
［招待講演］イオン液体中の電気化学反応を用いたIntelligent Connection
Deviceの温度依存性
○小林正和（長瀬産業）・島 久・内藤泰久・秋永広幸（産総研）・佐藤 暖・松尾拓真・米澤雅陽・木下健太郎（東京理科大）・伊藤敏幸（豊田理研）・野上利材（鳥取大）・折井靖光（長瀬産業）
(8) 16:15-16:55
［招待講演］次世代ウェアラブルデバイス：スキンエレクトロニクス
○李 成薫（東大）
−−− 16:55-17:00 閉会（ 5分 ） −−−