2024年2月21日(水) 10:00~17:00

第249回 研究集会

開催場所

ハイブリッド開催
■対面:東京大学 本郷/工学部4号館/3階42教室(先着50名)
http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_05_j.html
■オンライン:Zoom予定

テーマ 配線・実装技術と関連材料技術
参加費 シリコン継続会員,シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料
シリテク分科会会員 2,000円
エレクトロニクス実装学会会員 2,000円
その他 5,500円
学生 1,100円
主催 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
共催 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
協賛 エレクトロニクス実装学会
お問い合わせ先 アプライド・マテリアルズ・ジャパン株式会社 松永範昭
noriaki_matsunaga@amat.com

プログラム

--- 開会挨拶(10:00-10:05/5分) ---

(1) 10:05-10:45
[招待講演]Pre-treatment Study for Barrier-less Ruthenium Filling into Single Damascene via of Sub 20nm Hole Size
○Ryota Yonezawa・Kai-Hung Yu・Hirokazu Aizawa・Hidenao Suzuki・Cory Wajda・Gert Leusink(TTCA)

(2) 10:45-11:25
[招待講演]量子ビット制御用低温SoC向け、超伝導Nb配線の開発
○沼田秀昭・井口憲幸(NBS)・田中雅光(名大)・岡本浩一郎・三浦貞彦(NBS)・内田 建(東大)・石黒仁揮(慶大)・阪本利司・多田宗弘(NBS)

(3) 11:25-12:05
[招待講演]3次元集積回路の電源品質改善のための裏面埋設配線技術の開発
○渡辺直也・荒賀佑樹・島本晴夫(産総研)・永田 真(神戸大)・菊地克弥(産総研)

--- 昼食(12:05-13:30/85分) ---

(4) 13:30-14:10
[招待講演]材料・デバイス局所領域の電磁場直接観察
○柴田直哉(東大)

(5) 14:10-14:50
[招待講演]Cu/SiCNハイブリッド接合の接合前表面最適化技術
○井上史大・中山航平・端山健太・神谷佑哲(横浜国大)

--- 休憩(14:50-15:10/20分) ---

(6) 15:10-15:50
[招待講演]3D flash memoryにおけるCMOS Directly Bonded to Array (CBA)技術とメタライゼーション
○田上政由(キオクシア)

(7) 15:50-16:30
[招待講演]Recent Studies of WoW and CoW Cu-Cu Hybrid Bonding
○Yoshihisa Kagawa・Yukako Ikegami・Takahiro Kamei・Hayato Iwamoto(SSS)

--- 閉会挨拶(16:30-16:35/5分) ---

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