(1) 13:00～13:05
分科会幹事からのアナウンス

(2) 13:05～13:35
4F2型セルを有する酸化物半導体チャネルトランジスタ DRAM (OCTRAM)
有吉 恵子（キオクシア）

(3) 13:35～14:05
オン電流112.2μA/μmを達成するSi CMOS上にモノリシックに積層されたゲートを引き上げた結晶性酸化インジウムVFET
宮田 翔希（半導体エネルギー研究所）

(4) 14:05～14:35
HZO/Si FeFETにおけるバイポーラ・ストレス中のメモリウィンドウ劣化機構の解明：ホールトラップの生成とキャリアのデトラップ挙動の役割
趙 成謹（東京大学）

---　休憩15分　---

(5) 14:50～15:20
シリコンFin型量子ドットにおける長周期動作不安定性の起源
岡 博史（産総研）

(6) 15:20～15:50
3次元フラッシュメモリ将来世代向けHorizontal Channel Flash構造提案
小田 穣（キオクシア）

(7) 15:50～16:20
1/1.3型 5000万画素DNN搭載３枚積層CMOSイメージセンサ
須田 洋輔（ソニーセミコンダクタソリューションズ）

(8) 16:20～16:50
IEDM2024を振り返って
渡部 宏冶（東京エレクトロン）