2025年2月27日(木) 13:30-17:40
第256回 研究集会 Siナノテクノロジー研究委員会研究集会
開催場所
ハイブリッド開催
■現地開催場所：東北大学片平キャンパスC10 流体科学研究所２号館 508（定員100名）
■オンライン：Zoom
| テーマ | 2nm世代以細GAAFETにおけるプロセス・計測技術 |
|---|---|
| 参加費 | ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 ・シリテク分科会会員 2,000円 ・その他 4,000円 ・学生 無料（但し、現地参加希望者は先着順で、人数制限あり） |
プログラム
(1) 13:35～14:20
先端エッチングにおける技術課題と取組（仮）
伊澤勝（日立ハイテク）
(2) 14:20～15:05
半導体プロセスに欠かせないALD技術
生田目俊秀（物質・材料研究機構）
(3) 15:25～16:10
先端配線技術の研究動向
上野和良（芝浦工業大学）
(4) 16:10～16:55
TBA
安原重雄（ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ ）
(5) 16:55～17:40
先端プロセスの課題を解決する検査計測技術
鈴木誠（日立ハイテク）
先端エッチングにおける技術課題と取組（仮）
伊澤勝（日立ハイテク）
(2) 14:20～15:05
半導体プロセスに欠かせないALD技術
生田目俊秀（物質・材料研究機構）
(3) 15:25～16:10
先端配線技術の研究動向
上野和良（芝浦工業大学）
(4) 16:10～16:55
TBA
安原重雄（ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ ）
(5) 16:55～17:40
先端プロセスの課題を解決する検査計測技術
鈴木誠（日立ハイテク）