2025年6月27日(金) 13:00 - 17:20

第258回 表面・界面・シリコン材料研究集会

開催場所

■名古屋大学 ES総合館 (愛知県)

地下鉄名城線「名古屋大学」駅 3番出口すぐ https://www.engg.nagoya-u.ac.jp/access/
テーマ MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化-材料・プロセス技術
主催 シリコン材料・デバイス研究会 技報完全電子化研究会
共催 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会

プログラム

(1) 13:00-13:35
[招待講演] 半導体デバイス向け価数制御型材料の開発
畑山祥吾(産総研)

(2) 13:35-14:10
[招待講演] Atomic Insight for Regulation of Interfacial Thermal Transport Between Si and AlN via Machine Learning Potential
Weitao Wang・Masahiro Nomura(UTokyo)

(3) 14:10-14:45
[招待講演] ナノ構造半導体の輸送現象解明およびスピン軌道相互作用の電気制御の研究
高瀬恵子(農工大)

---(休憩 15分)---

(4) 15:00-15:35
[招待講演] ゲルマニウムを利用したシリコンフォトニクスデバイス技術
石川靖彦・山根啓輔(豊橋技科大)・藤方潤一(徳島大)

(5) 15:35-16:10
[招待講演] Si(110)基板上へのSiGeの結晶成長
有元圭介・藤本雄太・横田もなみ・青沼雄基(山梨大)・原 康祐(奈良先端大)・山中淳二(山梨大)・鈴木陽洋・和田直之・松川和人・松本光二・山本博昭(SUMCO)

(6) 16:10-16:45
[招待講演] 陽極酸化アルミナ鋳型を使ったMoS2ナノチューブの形成とデバイス応用
清水智弘・広野翔一・伊藤 健・新宮原正三(関西大)

(7) 16:45-17:20
[招待講演] プラズマ支援反応性スパッタリングを用いた酸化物半導体の低温形成
竹中弘祐(阪大)・太田貴之(名城大)・節原裕一(阪大)

このページの上部へ