2025年8月28日(木) 12:55 - 17:10
第260回 研究集会「VLSIシンポジウム特集」
開催場所
■対面：金沢工業大学虎ノ門キャンパス（先着100名）
東京都港区愛宕1-3-4 愛宕東洋ビル 13階1301室
■オンライン：Zoom予定
※学生の皆様は、現地参加も含めて無料といたします。
ただし、会場収容人数の制約もあり現地参加のみ先着順といたします。
| テーマ | VLSIシンポジウム特集 |
|---|---|
| 参加費 | ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 ・シリテク分科会会員 2,000円 ・その他 4,000円 ・学生 無料（但し、現地参加希望者は先着順で、人数制限あり） |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
プログラム
(1) 12:55～13:00
分科会幹事からのアナウンス
(2) 13:00～13:30
性能と信頼性を向上させるために選択的に結晶化したInGaOxチャネルを用いたゲートオールアラウンドナノシート酸化物半導体FET
PARK Kiwoong（東京大学）
(3) 13:30～14:00
後工程向けFETと高いプロセス親和性を有する真性移動度120cm2/Vsを超える原子層堆積法で成膜した多結晶Ga-doped In2O3 (poly-IGO)ナノシート
髙橋 崇典（奈良先端科学技術大学院大学）
(4) 14:00～14:30
4F2DRAMへ向けた微細(Φ<25nm)縦型InGaZnOトランジスタにおけるTDDBの調査
神山 晃範（キオクシア）
(5) 14:30～15:00
極薄膜強誘電HZOにおけるwake-up機構：酸素空孔消滅によるドメインde-pinningと最適wake-up周波数
伊藤 広恭（東京大学）
--- 休憩（20分）---
(6) 15:20～15:50
超高積層次世代3D Flashの消去動作を実現するショットキーソース接合構造
橋本 晋（キオクシア）
(7) 15:50～16:20
超伝導量子コンピュータの集積化に向けた3次元積層技術の研究開発
菊地 克弥（産総研）
(8) 16:20～16:50
最適化された不純物設計を用いた波長940nmで42.5%のPDEを有する裏面照射型10μmピッチSPAD距離センサー
馬郡 あおい（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(9) 16:50～17:10
2025 VLSIシンポジウムを振り返って
角村 貴昭（東京エレクトロン）
分科会幹事からのアナウンス
(2) 13:00～13:30
性能と信頼性を向上させるために選択的に結晶化したInGaOxチャネルを用いたゲートオールアラウンドナノシート酸化物半導体FET
PARK Kiwoong（東京大学）
(3) 13:30～14:00
後工程向けFETと高いプロセス親和性を有する真性移動度120cm2/Vsを超える原子層堆積法で成膜した多結晶Ga-doped In2O3 (poly-IGO)ナノシート
髙橋 崇典（奈良先端科学技術大学院大学）
(4) 14:00～14:30
4F2DRAMへ向けた微細(Φ<25nm)縦型InGaZnOトランジスタにおけるTDDBの調査
神山 晃範（キオクシア）
(5) 14:30～15:00
極薄膜強誘電HZOにおけるwake-up機構：酸素空孔消滅によるドメインde-pinningと最適wake-up周波数
伊藤 広恭（東京大学）
--- 休憩（20分）---
(6) 15:20～15:50
超高積層次世代3D Flashの消去動作を実現するショットキーソース接合構造
橋本 晋（キオクシア）
(7) 15:50～16:20
超伝導量子コンピュータの集積化に向けた3次元積層技術の研究開発
菊地 克弥（産総研）
(8) 16:20～16:50
最適化された不純物設計を用いた波長940nmで42.5%のPDEを有する裏面照射型10μmピッチSPAD距離センサー
馬郡 あおい（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(9) 16:50～17:10
2025 VLSIシンポジウムを振り返って
角村 貴昭（東京エレクトロン）