2025年11月13日(木) 11:25〜16:35
2025年11月14日(金) 11:30〜16:35
2025年11月14日(金) 11:30〜16:35
第262回 研究集会 モデリング研究委員会
開催場所
ハイブリッド開催
■現地開催場所：機械振興会館 5階 5S-2 会議室（定員25名）
※ 機械振興会館：〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
(東京メトロ日比谷線 神谷町駅から徒歩8分またはJR浜松町駅から徒歩15分)
※人数の制約もあり現地参加については先着順で人数制限の可能性があります。
■オンライン：Zoom
| テーマ | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
|---|---|
| 参加費 | ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 ・シリテク分科会会員 2,000円 ・その他 4,000円 ・学生 無料 |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） |
プログラム
■11月13日(木) 午前 （11：25〜12：20）
--- 挨拶、諸連絡 （ 5分 ） ---
(1) 11:30 - 12:20
［招待講演］デバイスシミュレーション技術によるシリコンスピン量子ビットの集積構造設計
○飯塚将太・加藤公彦・八木下淳史・浅井栄大・上田哲也・岡 博史・服部淳一・池上 努・福田浩一・森 貴洋（産総研）
--- 昼食 （ 60分 ） ---
■11月13日(木) 午後 （13：20〜15：00）
(2) 13:20 - 14:10
［招待講演］離散不純物の空間局在性を反映させた非平衡グリーン関数法 〜 理論的枠組みと非局所な不純物散乱 〜
○佐野伸行（筑波大）
(3) 14:10 - 15:00
［招待講演］4H-SiC反転層における電子状態の原子論的解析
○永溝幸周・田中 一・森 伸也（阪大）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
■11月13日(木) 午後 （15：15〜16：35）
(4) 15:15 - 16:05
［招待講演］マルチスケールモデリングによる4H-SiCアバランシェ生成モデルの開発
○千石光洋・蟹江創造（TDSC）
(5) 16:05 - 16:35
［招待講演］3次元方向のスケーリングに耐えるGAAコンパクトモデルの開発と検証
○神澤雅俊（信州大）・三浦道子・菊地原秀行・飯塚貴弘（広島大）・上口 光（信州大）
■11月14日(金) 午前 （11：30〜12：20）
(6) 11:30 - 12:20
［招待講演］高アスペクト比構造におけるALDプロセスのパージ効果シミュレーション
○中村悟史・小武守 恒・八島健太・池田大志・大村 匠・嘉山康之（DSRJ）・YunTae Lee・Gwangsu Yoo・辻 幸秀・Shinwook Yi・Jaehoon Jeong・Dae Sin Kim（SEC）
--- 昼食 （ 60分 ） ---
■11月14日(金) 午後 （13：20〜14：35）
(7) 13:20 - 14:10
［招待講演］SISPAD2025 レビュー
○相馬聡文（神戸大）
(8) 14:10 - 14:35
においセンサシステムにおけるアナログフロントエンドの集積回路化
○中村拓未・竹内 悠・吉河武文（富県立大）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
■11月14日(金) 午後 （14：50〜16：35）
(9) 14:50 - 15:40
［招待講演］SiC MOSFET反転層の閉形式温度依存移動度物理モデル
○畠山哲夫（富山県立大）
(10) 15:40 - 16:30
［招待講演］TCADシミュレーションを用いたGaN縦型パワーデバイスJTE終端構造に対するMgチャネリングイオン注入効果の解析
○北川和輝・Maciej Matys・加地 徹・須田 淳（名大）
--- クロージング （ 5分 ） ---
招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
--- 挨拶、諸連絡 （ 5分 ） ---
(1) 11:30 - 12:20
［招待講演］デバイスシミュレーション技術によるシリコンスピン量子ビットの集積構造設計
○飯塚将太・加藤公彦・八木下淳史・浅井栄大・上田哲也・岡 博史・服部淳一・池上 努・福田浩一・森 貴洋（産総研）
--- 昼食 （ 60分 ） ---
■11月13日(木) 午後 （13：20〜15：00）
(2) 13:20 - 14:10
［招待講演］離散不純物の空間局在性を反映させた非平衡グリーン関数法 〜 理論的枠組みと非局所な不純物散乱 〜
○佐野伸行（筑波大）
(3) 14:10 - 15:00
［招待講演］4H-SiC反転層における電子状態の原子論的解析
○永溝幸周・田中 一・森 伸也（阪大）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
■11月13日(木) 午後 （15：15〜16：35）
(4) 15:15 - 16:05
［招待講演］マルチスケールモデリングによる4H-SiCアバランシェ生成モデルの開発
○千石光洋・蟹江創造（TDSC）
(5) 16:05 - 16:35
［招待講演］3次元方向のスケーリングに耐えるGAAコンパクトモデルの開発と検証
○神澤雅俊（信州大）・三浦道子・菊地原秀行・飯塚貴弘（広島大）・上口 光（信州大）
■11月14日(金) 午前 （11：30〜12：20）
(6) 11:30 - 12:20
［招待講演］高アスペクト比構造におけるALDプロセスのパージ効果シミュレーション
○中村悟史・小武守 恒・八島健太・池田大志・大村 匠・嘉山康之（DSRJ）・YunTae Lee・Gwangsu Yoo・辻 幸秀・Shinwook Yi・Jaehoon Jeong・Dae Sin Kim（SEC）
--- 昼食 （ 60分 ） ---
■11月14日(金) 午後 （13：20〜14：35）
(7) 13:20 - 14:10
［招待講演］SISPAD2025 レビュー
○相馬聡文（神戸大）
(8) 14:10 - 14:35
においセンサシステムにおけるアナログフロントエンドの集積回路化
○中村拓未・竹内 悠・吉河武文（富県立大）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
■11月14日(金) 午後 （14：50〜16：35）
(9) 14:50 - 15:40
［招待講演］SiC MOSFET反転層の閉形式温度依存移動度物理モデル
○畠山哲夫（富山県立大）
(10) 15:40 - 16:30
［招待講演］TCADシミュレーションを用いたGaN縦型パワーデバイスJTE終端構造に対するMgチャネリングイオン注入効果の解析
○北川和輝・Maciej Matys・加地 徹・須田 淳（名大）
--- クロージング （ 5分 ） ---
招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分