2026年2月27日(金) 13:30-17:45
第264回 研究集会「ナノ・マイクロファブケーション研究会」
近年の膨大なAI需要に象徴されるように、半導体産業はもはや不可欠な社会インフラとなっています。EUVリソグラフィ、3次元実装、ハイバンドメモリ（HBM）、ナノシートトランジスタ等の先端技術は、一般的な報道でも連日のように取り上げられるトピックとなり、今や限られた人だけ理解する用語の枠をとうに超えています。こうした大きな渦の中、応用物理学会やドライプロセスシンポジウム（DPS）、米国真空学会（AVS）といった主要な国内・国際学会においても、関連セッションで多くの研究者が詰めかけ、熱心な議論が交わされています。本研究集会では、このような状況を鑑み、半導体製造の研究開発におけるホットトピックである「低温プロセス」と「数値的プロセス解析」に焦点を当て、この分野をリードする講演者の方々をお招きいたしました。本集会では参加者の方々と共に最新の研究開発の熱気を共有し、次世代に向けた活発な議論を交わす場となることを期待しております。
開催場所
■現地開催場所：東京大学 / 本郷キャンパス工学部 4号館 3階 42講義室
■オンライン：なし
| テーマ | 半導体プラズマプロセスにおける最新の研究事情：低温HFエッチングとデータ駆動型プロセス |
|---|---|
| 参加費 | シリコンテクノロジー継続会員, シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員:無料 シリコンテクノロジー分科会会員：無料 その他：5,000円 学生：無料（但し、現地参加希望者は先着順で、人数制限あり） |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
プログラム
■講演時間：３５分＋質問時間１０分（合計４５分）
(1) 13:30-13:35 開会挨拶
近藤 博基（研究委員長/九州大学）
(2) 13:35-14:20
[招待講演] HFプラズマを用いたSiO2低温エッチングにおけるH2Oの役割
関根 誠（名古屋大学）
(3) 14:20-15:05
[招待講演] デジタルツインを活用した新規ガス開発
田中 健大（ダイキン工業）
(4) 15:05-15:50
[招待講演] TMSDMA 蒸気曝露によるHF ガスエッチング用保護膜の形成とパターン深さ制御
今村 翼（日立製作所）
---（休憩）---
(5) 16:10-16:55
[招待講演] イオンー分子間反応衝突モデルとプロセスプラズマのシミュレーションへの応用
伝宝 一樹（東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ）
(6) 16:55-17:40
[招待講演] 物理ベース特徴量設計によるプラズマプロセスの解釈可能な機械学習「Plasma and Material Information Science(PaMIS)」: SiO2および a-C:H 薄膜のケーススタディ
Sukma Wahyu Fitriani（九州大学）
(7) 17:40-17:45
クロージング
(8) 18:00-20:00
懇親会（松本楼）
(1) 13:30-13:35 開会挨拶
近藤 博基（研究委員長/九州大学）
(2) 13:35-14:20
[招待講演] HFプラズマを用いたSiO2低温エッチングにおけるH2Oの役割
関根 誠（名古屋大学）
(3) 14:20-15:05
[招待講演] デジタルツインを活用した新規ガス開発
田中 健大（ダイキン工業）
(4) 15:05-15:50
[招待講演] TMSDMA 蒸気曝露によるHF ガスエッチング用保護膜の形成とパターン深さ制御
今村 翼（日立製作所）
---（休憩）---
(5) 16:10-16:55
[招待講演] イオンー分子間反応衝突モデルとプロセスプラズマのシミュレーションへの応用
伝宝 一樹（東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ）
(6) 16:55-17:40
[招待講演] 物理ベース特徴量設計によるプラズマプロセスの解釈可能な機械学習「Plasma and Material Information Science(PaMIS)」: SiO2および a-C:H 薄膜のケーススタディ
Sukma Wahyu Fitriani（九州大学）
(7) 17:40-17:45
クロージング
(8) 18:00-20:00
懇親会（松本楼）