2026年3月13日(金) 11:00-18:10

第265回 研究集会「多層配線システム研究委員会」

本研究集会では、配線・実装技術および関連材料技術に関する最新の研究成果を幅広く共有いたします。多数のご参加をお待ちしております。

開催場所

ハイブリッド開催
■現地開催場所:金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
〒105-0002 東京都港区愛宕1-3-4 愛宕東洋ビル12階

交通案内:東京メトロ日比谷線 虎ノ門ヒルズ駅(A1出口)徒歩2分
https://www.kanazawa-it.ac.jp/tokyo/map.htm
■オンライン:Zoom予定
テーマ 配線・実装技術と関連材料技術
参加費 ・シリコン継続会員,シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料
・エレクトロニクス実装学会会員 2,000円
・シリテク分科会会員 2,000円
・その他 5,500円
・学生 無料
共催 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
協賛 エレクトロニクス実装学会
お問い合わせ先 アプライド・マテリアルズ・ジャパン 松永 範昭
E-mail:noriaki_matsunaga@amat.com

プログラム

--- 11:00–11:05 開会(5分)---

(1) 11:05–11:45
[招待講演]順次低分子インヒビター処理によるCu-CMP後のリーク電流抑制
○西之坊拓海・Kai-Hung Yu・米澤亮太・Hidenao Suzuki・Hirokazu Aizawa(TEL)

(2) 11:45–12:25
[招待講演]ALD-Al₂O₃を用いたCMP・活性化フリー直接接合プロセス
○北川颯人・山本泰輔・井上史大(横浜国大)

--- 12:25–13:55 昼食(90分)---

(3) 13:55–14:35
[招待講演]GPU-DRAM直接積層を可能にする直交積層MOSAIC
○小菅敦丈(東大)

(4) 14:35–15:15
[招待講演]シャトルチップの3D-IC化
~ 感光性テンポラリー接着剤を用いたTSV形成と異種デバイス三次元集積 ~
○福島誉史・冨永晃洋・申 家屹(東北大)

(5) 15:15–15:55
[招待講演]3枚積層3次元ヘテロジニアス集積化に向けた
Face-to-Back Chip-on-Wafer (F2B CoW) Cu-Cu ハイブリッドボンディング
○浦田章紘,今西創生,千代薗修典,大迫 徹,清水 完,香川恵永,中澤正志

--- 15:55–16:05 休憩(10分)---

(6) 16:05–16:45
[招待講演]L/S=0.5/1.5 μm多層配線を備えたRDLパネルインターポーザの組立てと配線微細化における課題
○南 征志(レゾナック)

(7) 16:45–17:25
[招待講演]フリップチップ・パッケージにおける基板での放熱技術の検討
~ グラファイトシート内蔵有機基板 ~
○松本圭司・大島大輔・森 裕幸(日本IBM)・渡辺アトム・ラッセル バド(ワトソン研)・青木豊広・堀部晃啓(日本IBM)・ダニエル エデルシュタイン(ワトソン研)

(8) 17:25–18:05
[招待講演]高密度プラズマ励起窒素活性種による高配向性Hexagonal Boron Nitride成長
○牟田幸浩・杉浦正仁・松本貴士(東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)

--- 18:05–18:10 閉会(5分)---
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