2026年11月12日(木) 10:25〜17:35
2026年11月13日(金) 10:30〜16:15
2026年11月13日(金) 10:30〜16:15
第268回 研究集会「モデリング研究委員会」
開催場所
ハイブリッド開催
■現地開催場所：機械振興会館 5階 5S-2 会議室（定員25名）
※ 機械振興会館：〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
(東京メトロ日比谷線 神谷町駅から徒歩8分またはJR浜松町駅から徒歩15分)
※人数の制約もあり現地参加については先着順で人数制限の可能性があります。
■オンライン：Zoom
| テーマ | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
|---|---|
| 参加費 | ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 ・シリテク分科会会員 2,000円 ・その他 4,000円 ・学生 無料 |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） |
プログラム
■11月12日(木) 午後 （10：25〜12：10）
--- 挨拶、諸連絡 （ 5分 ） ---
(1) 10:30 - 11:20
［招待講演］GAAおよび3D積層FETの技術動向とLSTCでの取り組み
○平本俊郎（東大/LSTC）・若林 整（科学大/LSTC）
(2) 11:20 - 12:10
［招待講演］量子ドット中のスピン間交換相互作用のシミュレーション ～ グリーン関数法による不均一誘電環境の考慮 ～
○浅井栄大・飯塚将太・服部淳一・池上 努・中山隆史・森 貴洋（産総研）
--- 昼食 （ 80分 ） ---
■11月12日(木) 午後 （13：30〜15：10）
(3) 13:30 - 14:20
［招待講演］3次元集積化に向けたウェハ間接合の実験的モデリング
○井上史大（横浜国大）
(4) 14:20 - 15:10
［招待講演］確率的機構としての帯電効果を考慮した高アスペクト比エッチングのねじれ現象
○池田大志・小武守 恒・中村悟史・八島健太・大村 匠・嘉山康之（DSRJ）・YunTae Lee・辻 幸秀・Shinwook Yi・Moon-Hyun Cha・Jaehoon Jeong（SEC）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
■11月12日(木) 午後 （15：25〜17：35）
(5) 15:25 - 15:55
［招待講演］SEM過渡信号によるMOSFET電気特性評価のためのTCAD-SPICEシミュレーションフレームワーク
○小林唯華・中村洋平（日立）・山口真司（日立ハイテク）
(6) 15:55 - 16:45
［招待講演］FeFETメモリウィンドウばらつきのモデリング
○園田賢一郎・津田是文・山口 直・天羽生 淳・佃 栄次（ルネサスエレクトロニクス）
(7) 16:45 - 17:35
［招待講演］3DフラッシュメモリのZ方向ピッチ微細化限界に関するシミュレーション研究：サブ40 nm実現に向けて
○小倉達朗・日詰湧真・尾関悠斗・掛川卓由・竹田 裕・来栖貴史・沖 知普・関根克行（キオクシア）
■11月13日(金) 午前 （10：30〜12：10）
(8) 10:30 - 11:20
［招待講演］SISPAD2026 レビュー
○佐藤伸吾（関西大）
(9) 11:20 - 12:10
［招待講演］異方性を持つ低次元半導体ナノ構造における量子輸送の物理的基礎の再検討
○森 伸也（阪大）
--- 昼食 （ 80分 ） ---
■11月13日(金) 午後 （13：30〜14：45）
(10) 13:30 - 14:20
［招待講演］物理情報ニューラルネットワークによる半導体デバイス解析 —順問題から逆問題へ—
○相馬聡文（神戸大）・植田暁子（産総研）
(11) 14:20 - 14:45
ドリフト速度と飽和速度の競合に基づくMOSFETドレイン飽和電流の統一的フレームワーク
○執行直之・三浦 沖（熊本大）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
■11月13日(金) 午後 （15：00〜16：15）
(12) 15:00 - 15:50
［招待講演］機械学習を用いたCFET SRAMのソフトエラー予測モデルの検討
○シエラ ファネス フィルベルト・鎌倉良成（阪工大）
(13) 15:50 - 16:15
生成AI時代に向けた、積層型GAAトランジスタを用い低コストな大容量高速半導体メモリ及びロジックLSIの提案
○石川 諒・渡辺重佳（湘南工科大）
招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分
--- 挨拶、諸連絡 （ 5分 ） ---
(1) 10:30 - 11:20
［招待講演］GAAおよび3D積層FETの技術動向とLSTCでの取り組み
○平本俊郎（東大/LSTC）・若林 整（科学大/LSTC）
(2) 11:20 - 12:10
［招待講演］量子ドット中のスピン間交換相互作用のシミュレーション ～ グリーン関数法による不均一誘電環境の考慮 ～
○浅井栄大・飯塚将太・服部淳一・池上 努・中山隆史・森 貴洋（産総研）
--- 昼食 （ 80分 ） ---
■11月12日(木) 午後 （13：30〜15：10）
(3) 13:30 - 14:20
［招待講演］3次元集積化に向けたウェハ間接合の実験的モデリング
○井上史大（横浜国大）
(4) 14:20 - 15:10
［招待講演］確率的機構としての帯電効果を考慮した高アスペクト比エッチングのねじれ現象
○池田大志・小武守 恒・中村悟史・八島健太・大村 匠・嘉山康之（DSRJ）・YunTae Lee・辻 幸秀・Shinwook Yi・Moon-Hyun Cha・Jaehoon Jeong（SEC）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
■11月12日(木) 午後 （15：25〜17：35）
(5) 15:25 - 15:55
［招待講演］SEM過渡信号によるMOSFET電気特性評価のためのTCAD-SPICEシミュレーションフレームワーク
○小林唯華・中村洋平（日立）・山口真司（日立ハイテク）
(6) 15:55 - 16:45
［招待講演］FeFETメモリウィンドウばらつきのモデリング
○園田賢一郎・津田是文・山口 直・天羽生 淳・佃 栄次（ルネサスエレクトロニクス）
(7) 16:45 - 17:35
［招待講演］3DフラッシュメモリのZ方向ピッチ微細化限界に関するシミュレーション研究：サブ40 nm実現に向けて
○小倉達朗・日詰湧真・尾関悠斗・掛川卓由・竹田 裕・来栖貴史・沖 知普・関根克行（キオクシア）
■11月13日(金) 午前 （10：30〜12：10）
(8) 10:30 - 11:20
［招待講演］SISPAD2026 レビュー
○佐藤伸吾（関西大）
(9) 11:20 - 12:10
［招待講演］異方性を持つ低次元半導体ナノ構造における量子輸送の物理的基礎の再検討
○森 伸也（阪大）
--- 昼食 （ 80分 ） ---
■11月13日(金) 午後 （13：30〜14：45）
(10) 13:30 - 14:20
［招待講演］物理情報ニューラルネットワークによる半導体デバイス解析 —順問題から逆問題へ—
○相馬聡文（神戸大）・植田暁子（産総研）
(11) 14:20 - 14:45
ドリフト速度と飽和速度の競合に基づくMOSFETドレイン飽和電流の統一的フレームワーク
○執行直之・三浦 沖（熊本大）
--- 休憩 （ 15分 ） ---
■11月13日(金) 午後 （15：00〜16：15）
(12) 15:00 - 15:50
［招待講演］機械学習を用いたCFET SRAMのソフトエラー予測モデルの検討
○シエラ ファネス フィルベルト・鎌倉良成（阪工大）
(13) 15:50 - 16:15
生成AI時代に向けた、積層型GAAトランジスタを用い低コストな大容量高速半導体メモリ及びロジックLSIの提案
○石川 諒・渡辺重佳（湘南工科大）
招待講演：発表 40 分 ＋ 質疑応答 10 分
一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分