2004年6月15日(火) 13:00-17:20

第60回 研究集会

浅接合技術とシリサイド技術の2つのテーマに焦点をあて、産業界、大学、研究機関、装置メー カーから第一線でご活躍の方々に講演を行っていただきます。講演後にそれぞれのテーマでパネルディスカッションを行い今後の技術動向について議論を進めます。

開催場所

グランキューブ大阪

(大阪国際会議場 大阪市北区中之島) http://www.gco.co.jp/japanese.html
テーマ 接合技術ワークショップ
共催 SEMI

プログラム

13:00-13:10 opening remarks


[浅接合形成技術]

13:10-13:20 国際半導体技術ロードマップ(ITRS)と最新技術動向(株)東芝 セミコンダクター社 水島一郎、石丸一成

13:20-13:30 65nm対応極浅接合技術  Selete 安平光雄

13:30-13:40 co-imlant技術   (株)富士通研究所 福留秀暢

13:40-13:50 低加速注入技術   (株)日新イオン 丹上正安

13:50-15:00 パネルディスカッション

15:00-15:20 休憩


[シリサイド技術]

15:20-15:30 Niシリサイド技術のシステムLSIへの応用と課題 (株)ルネサステクノロジ 小林清輝

15:30-15:40 耐熱性向上技術    東北大学  栗野 浩之

15:40-15:50 スパッタ技術からのアプローチ (株)アネルバ 小須田求

15:50-16:00 低温絶縁膜形成技術  東京エレクトロン(株) 長谷部一秀

16:00-17:10 パネルディスカッション

17:10-17:20 closing remarks

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