10:00
はじめに

10:05
オンチップGHz伝送線路配線
伊藤浩之，井上淳平，五味振一郎，杉田英之，岡田健一，益一哉
（東工大）

10:30
10GHzを超えるクロックのキャビティによる伝達方法とその特性
小堀孝哉，加藤初弘，近藤英一，秋津哲也
（山梨大学 大学院）

10:55
超純水電解加工（超純水による電気化学的加工方法）のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発
野路郁太郎，小畠厳貴，安田穂積，飯泉健，粂川正行，和田豊，福永明，辻村学,　當間康*，鈴木作*，斎藤 孝行*
（（株）荏原製作所 精密･電子事業本部,（株）荏原総合研究所*）

11:20
休憩

11:30
エチレン基含有ポーラスシリカ膜の空孔評価
内田恭敬，大平俊行*，鈴木良一*，丸山善之，加藤智博，石田宏一
（帝京科学大学，産総研*）

11:55
ポーラスlow-k膜のk値上昇（TDDI）メカニズムと信頼性向上技術
龍崎大介，桜井治彰*，阿部浩一*，武田健一，福田宏
（日立製作所，日立化成工業*）

12：20
昼食

13:20
45nmノード向け高信頼Cuデュアルダマシン配線のためにPVD/ALD/PVD積層バリアメタル構造
東和幸，山口人美，*尾本誠一，*坂田敦子，*堅田富夫，松永範昭，柴田英毅
（株）東芝　SoC研究開発センター　高性能CMOSデバイス技術開発部　プロセス技術推進センター　半導体プロセス開発第５部*

13:45
CuAg合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
磯林厚伸，榎本容幸，*山田博，高橋新吾，門村新吾
(ソニー㈱　SSNC　セミコンダクタテクノロジー開発本部　プロセスプラットフォーム部門，ソニーセミコンダクタ九州㈱　LSI第1生産部門　第2デバイス開発部*）

14:10
CuAl合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
前川和義，森健壹， 小林清輝，米田昌弘,　Niranjan Kumar*, Schubert Chu*, Samuel Chen*, Gigi Lai*Daniel Diehl**
（ルネサステクノロジ,　Applied Materials*,　Applied Materials Japan**)

14:35
休憩

14:45
無電解ボトムアップめっきにおける添加剤の効果
新宮原正三，小畑涼，加藤敦史，王増林，八重樫道，坂上弘之，高萩隆行
（広島大）

15:10
超臨界CO2メタライゼーション　～Cu/Ru/絶縁膜構造の実現～
近藤英一
（山梨大学 大学院）

15:35
休憩

15:45
65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
杉浦巌，中田義弘，*三沢信裕，*大塚敏志，*西川伸之，*射場義弘, *杉本文利，*説田雄二，*酒井久弥，*小浦由美子，水島賢子，鈴木貴志，北田秀樹，*中野憲司，*柄沢章孝，*大倉嘉之，*河野隆宏，*綿谷宏文, *中井聡，*中石雅文，清水紀嘉，*福山俊一，中村友二，*宮嶋基守，矢野映
（富士通研，*富士通）

16:10
ULSI多層配線層間絶縁膜の空孔構造制御による低消費電力化
林喜宏，伊藤文則，竹内常雄， 多田宗則，田上正由，大竹浩人，肱岡健一郎
（NEC）

16:35
130, 90, 65 nm 及びそれ以降の多層配線技術におけるlow-k絶縁膜技術
宮島秀史，渡辺桂，藤田敬次，伊藤祥代，田渕清隆*，島山努*，秋山和隆，蜂谷貴世，東和孝，中村直文，梶田明広，松永範昭，榎本容幸*，金村龍一*，猪原正弘，本多健二，上條浩幸，中田錬平，矢野博之，長谷川利昭*，門村新吾*，柴田英毅，依田孝
東芝　セミコンダクターカンパニー　ソニー　セミコンダクターソリューションズネットワークカンパニー*

17:00
終了挨拶