第76回 研究集会
開催場所
機械振興会館 地下3F 研修-2
〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8交通手段 地下鉄神谷町下車徒歩10分
| テーマ | ＴＣＡＤ技術の将来像 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会員 2,000円 非分科会員 4,000円 |
| 担当 | モデリング研究委員会 |
プログラム
座長 羽根（NEC）
9:40-9:45
1. モデリング研究委員会から
小田 中紳二（阪大）
9:45-10:15
2. 半導体技術ロードマップにおけるＴＣＡＤ
和田 哲典（半導体先端テクノロジーズ）
10:15-10:45
3. 各テクノロジノードにおけるSRAMセルの解析
岡 秀樹、田辺 亮、芦澤 芳夫、戸坂 義春（富士通研究所）
10:45-11:15
4. MOSFET回路モデルの最新動向
執行 直之、大黒 達也（東芝 セミコンダクター社）
昼食
座長 石川（ルネサス）
12:45-13:15
5. 光リソグラフィにおける超解像技術とマスクパターン設計
三坂 章夫、笹子 勝（松下電器産業 半導体社）
13:15-13:45
6. ゲート絶縁膜材料設計のための原子スケールシミュレーション
金田 千穂子、山崎 隆浩（富士通研究所）
休息
座長 佐藤（富士通）
14:00-14:30
7. FLAを用いたMOSFETのhalo注入条件最適化
辻井 秀二1、安達 甘奈1、大内 和也1、青木 伸俊1、伊藤 貴之2、松尾 浩司2、須黒 恭一2、石丸 一成1、石内 秀美1（東芝 セミコンダクター社 1:SoC研究開発センター 2:プロセス技術推進センター）
14:30-15:00
8. CBCM法を応用した微細化デバイスキャラクタライズ技術
谷沢 元昭、岡垣 健、國清 辰也、永久 克己、石川 清志、栄森 貴尚（ルネサステクノロジ）
15:00-15:30
9. Mixed-Modeシミュレーションを用いたESD保護設計手法
林 洋一、黒田 俊一*、福田 浩一、馬場 俊祐、福田 保裕*（沖電気工業, *:沖エンジニアリング）
休息
座長 松沢（東芝）
15:45-16:15
10. 高効率な統計SPICEパラメータ抽出法
竹内 潔、羽根 正巳（NEC システムデバイス研究所）
16:15-16:45
11. ばらつき設計とTCADへの期待
増田 弘生（半導体理工学研究センター）