10月30日(火) 午前 （10：00～11：40）

(1) 10:00-10:25
周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション
○照沼知英　渡邉孝信（早大理工）　品田賢宏（早大科健機構）　鎌倉良成　谷口研二（大阪大院工）　大泊 巌（早大理工）

(2) 10:25-10:50
量子補正モンテカルロシミュレーションによる非Si材料nチャネルMOSFETの電流駆動力評価
○森隆志　東祐介　土屋英昭（神戸大）

(3) 10:50-11:15
粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ　○森伸也　鎌倉良成（阪大）　江崎達也（広大）

(4) 11:15-11:40
極微細マルチゲートデバイスにおける量子力学的効果の検討
○西谷大祐　三成英樹　森伸也（阪大）

－－－　昼食　（ 80分 ）　－－－

10月30日(火) 午後 （13：00～16：15）

(5) 13:00-13:45
[招待講演] パワー半導体でのデバイスシミュレーション技術について
○大村一郎（東芝）

(6) 13:45-14:10
相変化メモリのリセット特性のモデリング
○酒井敦　園田賢一郎　茂庭昌弘　石川清志　土屋修　井上靖朗（ルネサス）

(7) 14:10-14:35
シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討
○辻井秀二　外園明　藤原実　川中繁　東篤志　青木伸俊　豊島義明（東芝）

－－－　休憩　（ 25分 ）　－－－

(8) 15:00-15:25
<110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響
○高篠裕行　岡垣健　内田哲也　林岳　谷沢元昭　佃栄次　永久克己　若原祥史　石川清志　土屋修　井上靖朗（ルネサス）

(9) 15:25-15:50
Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析
○竹田裕（ＮＥＣ）　池澤健夫　河田道人（NIS）　羽根正巳（ＮＥＣ）

(10) 15:50-16:15
65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証
○佃栄次（ルネサス）　鎌倉良成（阪大）　高篠裕行　岡垣健　内田哲也　林岳　谷沢元昭　永久克己　若原祥史　石川清志　土屋修　井上靖朗（ルネサス）　谷口研二（阪大）

10月31日(水) 午前 （10：00～11：40）

(11) 10:00-10:25
照射時間を一定としたダイナミック光再構成型ゲートアレイの保持時間の解析
○瀬戸大作　渡邊実（静大）

(12) 10:25-10:50
マルチコンテキスト光再構成型ゲートアレイによる高速動的光再構成
○中島真央　渡邊実（静大）

(13) 10:50-11:15
コンテキスト重ね合わせによる高速光再構成
○山口直樹　渡邊実（静大）

(14) 11:15-11:40
相互透過係数の固有ベクトルを用いたホットスポット検出方法の検討
○吉川智史（FUJITSU VLSI）　二谷広貴　千々松達夫　浅井了（富士通）

－－－　昼食　（ 80分 ）　－－－

10月31日(水) 午後 （13：00～16：15）

(15) 13:00-13:50
[招待講演] 製造・環境ばらつきを考慮したタイミング検証技術
○橋本昌宜（阪大）

(16) 13:50-14:15
SRAM回路におけるばらつき要因が回路特性に与える影響の分析
○田辺亮　芦澤芳夫　岡秀樹（富士通研）

(17) 14:15-14:40
MOSFETレイアウトによるトランジスタ特性変動の解析
○安西邦夫　津野仁志　松村正雄　南里江　樋浦洋平　竹尾明　傅頴詩　福崎勇三　菅野道博　長島直樹　安斎久浩（ソニー）

－－－　休憩　（ 20分 ）　－－－

(18) 15:00-15:25
CMOSアナログ小信号パラメータのばらつきモデルと評価
黄田剛　○増田弘生　大川眞一（ルネサス）

(19) 15:25-15:50
SOI‐MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化
○村上貴洋　安藤慎　貞近倫夫（広大）　吉田隆樹（NIC）　三浦道子（広大）

(20) 15:50-16:15
微細CMOSアナログ回路のミスマッチモデリングの動向
○増田弘生　黄田剛　大川眞一（ルネサス）