2019年1月24日(木)夜～26日(土)
「電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第24回）
開催場所
東レ総合研修センター（静岡県三島市）
〒411-0032 静岡県三島市末広町21-9https://www.toray.co.jp/network/head/hea_004.html
Tel：055-980-0333 Fax :055-980-0350 http://www.edit-ws.jp/
| テーマ | 電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ |
|---|---|
| 参加費 | 【参加費および宿泊費(消費税込、予定)】 【参加費(含資料代)】 ・薄膜及びSiﾃｸﾉﾛｼﾞｰ分科会会員15,000円 ・応用物理学会・協賛学協会員19,000円 ・一般24,000円 ・学生／シニア＊8,000 円 ＊2018 年末時点で満65 歳以上の方 ※但し薄膜及びSiﾃｸﾉﾛｼﾞｰ分科会賛助会社の方は分科会会員扱い，応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いとします。 【宿泊費】 ・前日（24日）宿泊費（初日朝食付）：8,000円 ・初日（25日）宿泊費（2日目朝食，初日および2日目の昼食付）：9,500円 宿泊は個室となります。宿泊されない方が昼食（両日共）を希望される場合，事前申し込みによりお受け可能です。 |
| 共催 | 薄膜・表面物理分科会 |
| 協賛 | 日本物理学会，日本化学会，日本金属学会，日本表面真空学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会 |
| お問い合わせ先 | EDIT24プログラム委員長 中塚 理（名古屋大学） nakatuka@alice.xtal.nagoya-u.ac.jp |
| WebサイトURL | http://edit-ws.jp/ |
プログラム
【一般講演（口頭・ポスター）】
申込み方法：2018年11月10日（土）までに、EDIT24ウェブサイトにある投稿ページ『講演申し込み』を介して、和文1000文字または英文500ワード以内の講演概要と著者情報をご投稿下さい。
（講演採択者には、後日、予稿原稿をご提出いただきます。）
【基調講演】
- 田村 泰孝（富士通研究所） “集積回路の将来とデジタルアニーラ”
- 橋詰 保（北海道大学） “GaN MOSFETの絶縁ゲート技術(仮)”
【チュートリアル講演（1月24日夜）】
- 常行 真司（東京大学）
“データ科学と計算・実験の連携による物質・材料研究”
【企画セッション】 “センシングとLSIの融合がもたらす革新”
【招待講演】
- 木原 嘉英（東京エレクトロン）
“原子層制御技術(ALD/ALE)の微細加工への適用”
- 東 清一郎（広島大）
“メニスカス力を利用した転写法によるプラスチック基板上単結晶シリコンCMOS 回路作製技術”
- 右田 真司（産総研）
“負性容量トランジスタは実現できるのか？(仮)”
- 宮﨑 誠一（名古屋大）
“電子デバイス・材料開発に向けたナノスケールスタック構造・界面の光電子分光分析（仮）”
申込み方法：2018年11月10日（土）までに、EDIT24ウェブサイトにある投稿ページ『講演申し込み』を介して、和文1000文字または英文500ワード以内の講演概要と著者情報をご投稿下さい。
（講演採択者には、後日、予稿原稿をご提出いただきます。）
【基調講演】
- 田村 泰孝（富士通研究所） “集積回路の将来とデジタルアニーラ”
- 橋詰 保（北海道大学） “GaN MOSFETの絶縁ゲート技術(仮)”
【チュートリアル講演（1月24日夜）】
- 常行 真司（東京大学）
“データ科学と計算・実験の連携による物質・材料研究”
【企画セッション】 “センシングとLSIの融合がもたらす革新”
【招待講演】
- 木原 嘉英（東京エレクトロン）
“原子層制御技術(ALD/ALE)の微細加工への適用”
- 東 清一郎（広島大）
“メニスカス力を利用した転写法によるプラスチック基板上単結晶シリコンCMOS 回路作製技術”
- 右田 真司（産総研）
“負性容量トランジスタは実現できるのか？(仮)”
- 宮﨑 誠一（名古屋大）
“電子デバイス・材料開発に向けたナノスケールスタック構造・界面の光電子分光分析（仮）”