本講演会は2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会にてシンポジウム「多様化する半導体ウェットプロセス」として開催されました．

【開催趣旨】半導体製造プロセスにおいて、材料表⾯の清浄化および改質は、デバイスの信頼性を確保する上で極めて重要な⼯程である。集積回路の微細化がサブ10 nmノードへ進⾏する⼀⽅で、⼀部の領域では新材料の導⼊と集積回路の三次元化積層化が進む。洗浄・ウェットプロセスにおいては、微細パターンのダメージレス処理と⾼清浄化を両⽴しなければならない従来の難題に加え、新材料や3次元化に対応した新しい洗浄・ウェットプロセスの研究開発も急がれている。本シンポジウムでは、こういった多様化する半導体デバイスのニーズに合わせた新規なウェットプロセスに関する新しい研究結果について報告する場を提供する。

日時：2019年9月19日(木) 13:30～17:00
会場：北大
資料：案内パンフレット

招待講演「SiとGe表面のウェットエッチングの新潮流：不動態化から加工まで」有馬健太(阪大院工)
招待講演「III-V族化合物半導体のウェットエッチング 〜窒化物半導体に関する最近の話題を中心に〜」佐藤威友(北大量集センター)
「ⅢⅤ族化合物半導体における水との表面反応メカニズム考察」西尾賢哉(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
「フッ硝酸を用いたSiエッチングにおけるソーマーク段差平坦化メカニズムの解明」深谷天(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
招待講演「多様化する電子デバイスの物理洗浄 ～スプレー洗浄の有用性とその課題～」清家善之(愛知工大)
招待講演「DRAMにおける洗浄技術の開発課題」八木秀明(マイクロンメモリジャパンTD)
招待講演「次世代三次元フラッシュメモリにおけるウェットプロセスの有用性」吉水康人(東芝メモリ)
「貴金属触媒を用いた湿式Si-TSV形成におけるエッチング溶液濃度の検討」依岡拓也(関大シス理)