本講演会は2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会にて，シリコンテクノロジー分科会 多層配線システム研究委員会との共同シンポジウム「マルチスケールプロセスへの挑戦 ―ドライかウェットかそれとも…―」として開催されました．シリコンプロセスは，実装技術との境界が消えつつある一方で限界もあります．さらなる革新のためにサブnmからμmをカバーするシンプルでrobustなプロセスが求められています。本シンポジウムではいわゆるドライ技術，ウェット技術の役割を見直し，新しいマルチスケールプロセスの提案について検討を行うため，さまざまな分野の方にご講演頂きました．

日時：2017年9月7日(木) 13:45～17:25
会場： 福岡コンベンションセンター
参加人数：
資料：案内パンフレット

「マルチスケールプロセスへの挑戦-シンポジウムの開催にあたって-」真田俊之(静大)
【招待講演】「超微細化と超三次元化の時代の配線考」磯林厚伸(東芝)
【招待講演】「10 nmノード以降対応のアトミックレイヤーエッチング」野尻一男(Lam Research)
【招待講演】「分子動力学の目でみたウェットとドライの物理」山口康隆(阪大)
「微小空間におけるウェットエッチング挙動の考察」奥山敦(ソニー)
【招待講演】「マルチスケール超臨界媒体の半導体プロセス応用」近藤英一(山梨大)
【招待講演】「ナノからマイクロにわたるめっきプロセス」新宮原正三(関西大)
「無電解メッキ法で作製した微細配線の電気特性」日恵野敦(東芝)
「触媒エッチングによる新規ダイシングプロセスの開発」小幡進(東芝)
「クロージングリマーク」上野和良(芝工大)

先端半導体デバイスは構造の微細化および電子材料の多様化が急速に進んでおり，半導体製造に用いられるウェットプロセス技術の開発には，固体／液体界面における現象をナノレベルで理解することが必要となっています．本講演会では「ナノ界面現象の探求」をテーマとして，さまざまな分野の先生方にご講演頂きました．また，講演会終了後には第22回カサロス(懇親会)を開催しました．

日時：2017年3月17日(金) 13:00～17:00
会場： 慶應義塾大学 矢上キャンパス
参加者数：約50名
資料：案内パンフレット

13:00～13:05 「開会の辞」 真田俊之（静岡大）
13:05～13:50 招待講演「真空下での乾燥に耐えるナノスーツ -含水試料のありのまま電顕観察への応用-」石井大佑(名工大)
13:50～14:35 招待講演「無電解金メッキ／電解金メッキによるナノギャップ電極」 真島豊(東工大)
14:50～15:35 招待講演「半導体クリーン化一筋 30年の軌跡(日本，アジア大企業奮闘記)」 白水好美(オフィスシラミズ)
15:35～16:20 招待講演「拡張ナノ流体デバイスと溶液物性」 馬渡和真(東京大)
16:30～16:55 オープンディスカッション
16:55～17:00 「閉会の辞」

界面ナノ電子化学研究会は半導体ウェットプロセスに関する様々な企業，研究機関および大学関係者により，半導体製造プロセスの学術的な解明，発展への貢献を重ねてきました．更なる発展のために活発な議論，関係者の交流，若手技術者の育成などを目的とし合宿形式の第1回フォーラムを開催しました．

日時：2016年10月28日(金)13:00～29日(土)12:00
会場： 信州上諏訪温泉「浜の湯」
資料：案内パンフレット

■1日目(10月28日)
開会挨拶：真田俊之(静岡大)
基調講演「裏面照射型CMOSイメージセンサ開発経緯と今後の展望」岩元勇人(ソニー)
基調講演「極薄水膜内の固体表面の原子スケール周波数変調AFM観察」新井豊子(金沢大)
「UCPSS 2016レポート」真田俊之(静岡大) 他
基調講演「人工知能と半導体プロセス」湯之上隆(微細加工研究所)
第21回カサロス(懇親会) 兼 ランプセッション ～半導体の未来を語り合う～
■2日目(10月29日)
招待講演「研究開発者・技術者のマネジメント」田中秀樹(青森公立大)
招待講演「水の話」山中弘次(オルガノ・長岡技科大)
ラウンドテーブルセッション(ポスターセッション)
閉会挨拶：冨田寛(東芝)