第1回 研究集会
0.07μｍや0.04μｍといったサブ 0.1μｍおよびデープ・サブ 0.1μｍデバイスの課題をテーマとして取り上げる。単体デバイスとしての特性や問題点についてはこれまでもいろいろなところで議論されてきているので、今回はサブ 0.1μｍおよびデープ・サブ 0.1μｍ時代の集積回路というものを念頭に置いた上でのシリコンデバイスに対する課題を取り上げる。高速化、低電力化といったデバイス固有の課題に触れながら、これらのデバイスを用いて集積回路を構成する場合の問題点について考察する。配線や電力の問題は特に重要であるので重点的に取り上げる。これらの考察を通して、メモリやマイクロプロセッサに代表される集積回路の将来の姿についても議論を進める。論文発表に加えてパネル討論の機会も設け、いろいろな視野からシリコンデバイスというものを見つめながら、活発な討論が行われるよう企画する。また、今回の新しい試みとして、将来の集積回路におけるデープ・サブ0.1μｍ ＣＭＯＳデバイスと単電子トランジスタの融合の可能性などについても議論する。
| テーマ | 微細デバイス |
|---|---|
| オーガナイザー | 小柳 光正（東北大学） |
プログラム
９：１０～９：２０
開会挨拶
武蔵工業大学 服部健雄
東北大学 小柳光正
＜集積回路技術の将来＞
９：２０～９：５０
将来の集積回路
日立製作所中央研究所 武田英次
＜メモリ技術の現状と将来＞
９：５０～１０：１５
DRAM混載技術
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 石内秀美
１０：３０～１０：５５
DRAM技術の現状と将来
日立デバイス開発センタ
只木芳隆、吉田誠、熊内隆宏、川北恵三、大橋直史、榎本裕之、山本直樹、梅沢唯史、関口敏宏、浅野勇、村田純
１０：５５～１１：２０
Flashメモリの現状と将来
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
渡辺寿治
１１：２０～１１：４５
FRAMの開発現状と将来
富士通ULSI開発部
古村雄二、山崎辰也、恵下隆
＜高集積化と消費電力／配線遅延＞
１３：００～１３：３０
消費電力、配線遅延から見たLSIの集積化限界
東京大学生産技術研究所
桜井貴康
＜サブ0.1μｍデバイスの課題と微細化限界＞
１３：３０～１３：５５
サブ0.1μｍ CMOSデバイスの課題
NEC シリコンシステム研究所
最上徹、山本豊二、若林整、君塚直彦
１３：５５～１４：２０
極浅接合の形成とサブ0.1μｍ MOSFETの特性
富士通研究所
後藤賢一
１４：２０～１４：４５
Vthゆらぎとチャネルエンジニアリング
NEC シリコンシステム研究所
竹内潔、辰巳徹、古川昭雄
１４：４５～１５：１０
低電圧動作に適した0.1μｍデバイス設計
富士通研究所
杉井寿博
１５：１０～１５：３５
サブバンド構造変調によるSi MOSFETの高性能化
東芝研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
高木信一
＜集積回路とSET＞
１５：５０～１６：１５
実験的な128Mb単一電子メモリ
日立中央研究所
矢野和男、石井智之、佐野聡明、峰利之、村井二三夫、久禮得男、関浩一
１６：１５～１６：４５
集積化シリコン単電子デバイス
NTT 基礎研究所
村瀬克実、高橋庸夫、藤原聡、山崎謙治、永瀬雅夫、正津英夫、山口徹、栗原健二
＜パネル討論＞
１６：５０～１８：００
「CMOSおよびメモリの微細化限界とSET」