2008年5月16日（金） 13:30-17:00
第100回 研究集会
2008年2月24日から2月29日に米国サンノゼにて開催されたSPIE Advanced Lithography 2008のレビューを行なう。今回は露光装置（液浸、EUV）にフォーカスし、各分野の専門家にご講演を頂く。
開催場所
東京工業大学 大岡山キャンパス 南3号館2階電気系第1会議室
| テーマ | SPIE Advanced Lithography 2008特集 |
|---|---|
| 参加費 | 通常分科会員￥2000, 非分科会員￥4000 |
| オーガナイザー | 井谷俊郎 （Selete） |
プログラム
（１） はじめに
東京工芸大学 渋谷眞人教授
（２） ニコンの液浸露光装置技術
（株）ニコン 今井基勝
（３） キヤノンの液浸露光技術の現状
キヤノン（株）高橋和弘
（４） ＡＳＭＬにおけるダブルパターニング関連技術
エーエスエムエル・ジャパン（株） 宮崎順二
（５） 二コンのEUVL開発の現状と将来
（株）ニコン 押野 哲也
（６） キヤノンにおけるEUV露光装置の開発
キヤノン（株） 長谷川隆行
（７） ＡＳＭＬにおけるＥＵＶ露光装置関連技術
エーエスエムエル・ジャパン（株） 宮崎順二