2008年5月16日(金) 13:30-17:00

第100回 研究集会

2008年2月24日から2月29日に米国サンノゼにて開催されたSPIE Advanced Lithography 2008のレビューを行なう。今回は露光装置(液浸、EUV)にフォーカスし、各分野の専門家にご講演を頂く。

開催場所

東京工業大学 大岡山キャンパス 南3号館2階電気系第1会議室

テーマ SPIE Advanced Lithography 2008特集
参加費 通常分科会員¥2000, 非分科会員¥4000
オーガナイザー 井谷俊郎 (Selete)

プログラム

(1) はじめに
東京工芸大学 渋谷眞人教授

(2) ニコンの液浸露光装置技術
(株)ニコン 今井基勝

(3) キヤノンの液浸露光技術の現状
キヤノン(株)高橋和弘

(4) ASMLにおけるダブルパターニング関連技術
エーエスエムエル・ジャパン(株) 宮崎順二

(5) 二コンのEUVL開発の現状と将来
(株)ニコン 押野 哲也

(6) キヤノンにおけるEUV露光装置の開発
キヤノン(株) 長谷川隆行

(7) ASMLにおけるEUV露光装置関連技術
エーエスエムエル・ジャパン(株) 宮崎順二

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