2008年5月16日(金) 13:30-17:00
第100回 研究集会
2008年2月24日から2月29日に米国サンノゼにて開催されたSPIE Advanced Lithography 2008のレビューを行なう。今回は露光装置(液浸、EUV)にフォーカスし、各分野の専門家にご講演を頂く。
開催場所
東京工業大学 大岡山キャンパス 南3号館2階電気系第1会議室
テーマ | SPIE Advanced Lithography 2008特集 |
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参加費 | 通常分科会員¥2000, 非分科会員¥4000 |
オーガナイザー | 井谷俊郎 (Selete) |
プログラム
(1) はじめに
東京工芸大学 渋谷眞人教授
(2) ニコンの液浸露光装置技術
(株)ニコン 今井基勝
(3) キヤノンの液浸露光技術の現状
キヤノン(株)高橋和弘
(4) ASMLにおけるダブルパターニング関連技術
エーエスエムエル・ジャパン(株) 宮崎順二
(5) 二コンのEUVL開発の現状と将来
(株)ニコン 押野 哲也
(6) キヤノンにおけるEUV露光装置の開発
キヤノン(株) 長谷川隆行
(7) ASMLにおけるEUV露光装置関連技術
エーエスエムエル・ジャパン(株) 宮崎順二