(題目の後に＊のある講演は，応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会の アレンジによるものです)

6月9日(月) 午後
ゲートスタック構造の新展開-チュートリアル講演 （13：30～15：40）

(1) 13:30 - 14:30
［チュートリアル講演］高性能CMOSのための高移動度チャ ネル技術の現状と展望＊
○高木信一（東大）

－－－　休憩　（ 10分 ）　－－－

(2) 14:40 - 15:40
［チュートリアル講演］化合物半導体電子デバイス開発の軌跡＊
○大野泰夫（徳島大）

－－－　休憩　（ 10分 ）　－－－

6月9日(月) 午後
ゲートスタック構造の新展開 (I) （15：50～17：40）

(3) 15:50 - 16:15
Si反転層中のホールサブバンド分散＊
○武田さくら・森田　誠・大杉拓也・谷川洋平・大門　寛（奈良先端大）

(4) 16:15 - 16:40
MOS反転層モビリティの高精度評価＊
○鳥海　明・喜多浩之（東大）

－－－　休憩　（ 10分 ）　－－－

(5) 16:50 - 17:15
シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性＊
○齋藤真澄・小林茂樹・内田　建（東芝）

(6) 17:15 - 17:40
極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上＊
○平本俊郎・清水　健・筒井　元（東大生研）

－－－　懇親会　（ 90分 ）　－－－

6月10日(火) 午前
ゲートスタック構造の新展開 (II) （09：30～10：20）

(7) 09:30 - 09:55
歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント＊
○清家　綾・丹下智之・佐野一拓・杉浦裕樹・土田育新・太田洋道・渡邉孝信（早大）小瀬村大亮・小椋厚志（明大）・大泊　巌（早大）

(8) 09:55 - 10:20
III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術＊
○安田哲二・宮田典幸（産総研）・大竹晃浩（物材機構）

－－－　休憩　（ 10分 ）　－－－

6月10日(火) 午前
メタルゲート/High-k絶縁膜スタック （10：30～11：45）

(9) 10:30 - 10:55
Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドＸ線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～
○森　大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）門島　勝・奈良安雄（半導体テクノロジーズ）

(10) 10:55 - 11:20
High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割
○岩本邦彦・上牟田雄一（MIRAI-ASET）・布重　裕（芝浦工業大学）平野晃人（MIRA-ASET）・小川有人・渡邉幸宗（MIRAI-ASET）右田慎二・水林　亘・森田行則（MIRAI-ASRC, AIST）・高橋正志（MIRAI-ASET）太田裕之（MIRAI-ASRC, AIST）・生田目俊秀（MIRAI-ASET）・鳥海　明（東京大学）

(11) 11:20 - 11:45
TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるＸ線光電子分光分析～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～
○大田晃生・森　大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島　勝・奈良安雄（Selete）

－－－　昼食　（ 60分 ）　－－－

6月10日(火) 午後
ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術 （12：45～15：00）

(12) 12:45 - 13:10
Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展の XPSリアルタイム測定
○山本喜久・富樫秀晃・加藤　篤・末光眞希（東北大）・成田　克（九工大）寺岡有殿・吉越章隆（原子力研）

(13) 13:10 - 13:35
MOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性評価
○近藤博基・櫻井晋也（名大）・酒井　朗（阪大）・小川正毅・財満鎭明（名大）

－－－　休憩　（ 10分 ）　－－－

(14) 13:45 - 14:10
MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究
○白石賢二・小林賢司（筑波大）・石田　猛・奥山　裕・山田廉一（日立中研）

(15) 14:10 - 14:35
金属ナノドットを有する不揮発性メモリの基本特性
○裴　艶麗・田中　徹・小柳光正（東北大）

(16) 14:35 - 15:00
High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
○小原孝介・浦岡行治・冬木　隆（奈良先端大）八重樫利武・川端清司・吉丸正樹（半導体理工学研究センター）

チュートリアル講演：発表 50 分 ＋ 質疑応答 10 分
その他の講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分