2009年2月25日 13:00-17:00
第109回 研究集会
最近の関連国際学会SSDM,GEC,AVS,DPSからのセレクション。シミュレーションはどこまで利用できるにようになってきたのか。
開催場所
東京大学浅野キャンパス武田先端知ビル3階306号室
(東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車） http://www.vdec.u-tokyo.ac.jp/Guide/access.html| テーマ | エッチングテクノロジーとシミュレーションの最前線 |
|---|---|
| 担当 | ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会 |
プログラム
13:30-13:35 開催主旨
（ＮＥＣ 木下啓蔵）
13:35-14:05 容量結合型プラズマのシミュレーション（仮）
（慶応義塾大 八木澤卓、真壁利明）
14:05-14:35 HARC加工時の形状異常解析(仮)
（日立製作所 根岸伸幸）
14:35-15:05 SiOCHダメージの解析（仮）
（東芝 栗原一彰）
15:05-15:35 高密度Spin Transfer Torque MRAMのためのイオンビームエッチング技(仮)
（東芝 杉浦邦晃）
15:35-15:50 休憩
15:50-16:20 エッチング装置のプラズマシミュレーション(仮)
（東京エレクトロン 澤田郁夫）
16:20-16:50 Comparison between Simplified Langmuir-Hinshelwood Surface Reaction Model and Experimental Plasma Etching Rate(仮)
（Selete 岩越丈尚）
16:50 閉会の辞
17:00- 懇親会 (参加費 2000円)