2009年2月25日 13:00-17:00

第109回 研究集会

最近の関連国際学会SSDM,GEC,AVS,DPSからのセレクション。シミュレーションはどこまで利用できるにようになってきたのか。

開催場所

東京大学浅野キャンパス武田先端知ビル3階306号室

(東京都文京区弥生2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車) http://www.vdec.u-tokyo.ac.jp/Guide/access.html
テーマ エッチングテクノロジーとシミュレーションの最前線
担当 ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会

プログラム

13:30-13:35 開催主旨
(NEC 木下啓蔵)

13:35-14:05 容量結合型プラズマのシミュレーション(仮)
(慶応義塾大 八木澤卓、真壁利明)

14:05-14:35 HARC加工時の形状異常解析(仮)
(日立製作所 根岸伸幸)

14:35-15:05 SiOCHダメージの解析(仮)
(東芝 栗原一彰)

15:05-15:35 高密度Spin Transfer Torque MRAMのためのイオンビームエッチング技(仮)
(東芝 杉浦邦晃)

15:35-15:50 休憩

15:50-16:20 エッチング装置のプラズマシミュレーション(仮)
(東京エレクトロン 澤田郁夫)

16:20-16:50 Comparison between Simplified Langmuir-Hinshelwood Surface Reaction Model and Experimental Plasma Etching Rate(仮)
(Selete 岩越丈尚)

16:50 閉会の辞

17:00- 懇親会 (参加費 2000円)
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