2026年1月28日(水) 13:00-17:25
第263回 研究集会
開催場所
ハイブリッド開催
■現地開催場所：金沢工業大学虎ノ門キャンパス（先着100名）
※東京都港区愛宕1-3-4 愛宕東洋ビル 13階1301室
※会場収容人数の制約もあり現地参加のみ先着順といたします。
■オンライン：Zoom予定
| テーマ | IEDM特集 |
|---|---|
| 参加費 | ・シリコン継続会員，シリコンテクノロジー特別会員・賛助会員 無料 ・シリテク分科会会員 2,000円 ・その他 4,000円 ・学生 無料 |
| 共催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） |
プログラム
(1) 13:00～13:05
分科会幹事からのアナウンス
(2) 13:05～13:35
エッジAI向けMPU/MCUでの混載メモリの動向
森岡 俊晶（ルネサスエレクトロニクス）
(3) 13:35～14:05
低消費電力AIメモリ向け酸化物半導体チャネルトランジスタ DRAM (OCTRAM)
前田 健（キオクシア）
(4) 14:05～14:35
将来の高密度および低消費電力3D DRAMのための高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術
増田 貴史（キオクシア）
(5) 14:35～15:05
--- 休憩20分 ---
(6) 15:25～15:55
高性能結晶InGaOxナノシート酸化物半導体トランジスタの特性ばらつき
Xingyu Huang（東京大学）
(7) 15:55～16:25
MOSFETの電子輸送特性の理解: 最適ナノシートチャネル構造と低温動作
高木 信一（東京大学、帝京大学）
(8) 16:25～16:55
SOI FinFETを用いた高変換効率と低ノイズを実現した2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサ
高柳 良平（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(9) 16:55～17:25
IEDM2025を振り返って
渡部 宏冶（東京エレクトロン）
分科会幹事からのアナウンス
(2) 13:05～13:35
エッジAI向けMPU/MCUでの混載メモリの動向
森岡 俊晶（ルネサスエレクトロニクス）
(3) 13:35～14:05
低消費電力AIメモリ向け酸化物半導体チャネルトランジスタ DRAM (OCTRAM)
前田 健（キオクシア）
(4) 14:05～14:35
将来の高密度および低消費電力3D DRAMのための高積層可能な酸化物半導体チャネルトランジスタ技術
増田 貴史（キオクシア）
(5) 14:35～15:05
--- 休憩20分 ---
(6) 15:25～15:55
高性能結晶InGaOxナノシート酸化物半導体トランジスタの特性ばらつき
Xingyu Huang（東京大学）
(7) 15:55～16:25
MOSFETの電子輸送特性の理解: 最適ナノシートチャネル構造と低温動作
高木 信一（東京大学、帝京大学）
(8) 16:25～16:55
SOI FinFETを用いた高変換効率と低ノイズを実現した2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサ
高柳 良平（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
(9) 16:55～17:25
IEDM2025を振り返って
渡部 宏冶（東京エレクトロン）