今まで半導体集積回路の高集積化を牽引してきた微細加工技術、特に光リソグラフィ技術は、今まで何度かその解像限界に直面し、その限界が叫ばれ、次世代をどう乗り切るかという危機に瀕して来た。しかし、その度に新しい技術の導入や、短波長化によって、その課題を乗り越え、現在に至っている。ところが、半導体集積回路の微細化の速度は，光リソグラフィの短波長化の速度より速く、最近では露光に用いる光の波長より短い寸法の加工が要求されるまでになっている。この結果、光リソグラフィにおける本当の解像限界が目前に迫ってきたというのが今日の状況であろう。更なる短波長化の試みもなされているが、技術開発に残された時間は短く、開発コストも巨額になると言われている。同時に光以外の様々な次世代のリソグラフィ技術を導入しようという議論もかまびすしくなってきている。しかし、工業の現場では、今まで慣れ親しんできた光リソグラフィ技術を、今後も使っていきたいという要求も強い。現状では、次世代の１３０ｎｍレベルの加工に光を用いて行おうというコンセンサスは出来上がっていると言って良いだろう。しかし、その先はわからない。また１３０ｎｍにどの光リソグラフィ技術を用いて行うかについてはまだ明快な解答はない。
　そこで今回のテーマを"光リソグラフィ技術の限界とその突破"と題して、最近の光リソグラフィ技術の状況を中心に議論したい。１３０ｎｍをどうするのか？１００ｎｍは次世代の技術に道を譲るのか？このテーマを議論するには、いわゆる解像度向上技術と呼ばれる技術や、そのためのＣＡＤ技術、短波長化のための装置技術、レジスト材料技術、さらに高精度化、高機能化のためのマスク技術等、多岐にわたった技術の正しい現状認識と、今後の見通しが必要である。今回は、現状のKrFエキシマレーザリソグラフィ技術がどこまで使えるか、その技術課題と限界を中心に、高解像力化への可能性や設計側の工夫等を、ＡｒＦ等の短波長化による高解像力化と対比して議論することを企画した。