1. (10:00-10:05)
開会の挨拶

2. (10:05-10:50)
基調講演 三次元集積化技術の課題と展望
小柳光正、福島誉史、李 康旭、田中 徹*、
東北大学大学院工学研究科バイオロボティクス専攻、東北大学大学院医工学研究科*

3. (10:50-10:20)
耐水性分子細孔 SiOCH 膜中に形成された高信頼 CoWB メタル被覆 Cu 配線
林喜宏, 田上政由, 古武直也, 井上尚也, 中沢絵美子*, 有田幸司**
NEC エレクトロニクス株式会社 ＬＳＩ基礎開発研究所, NEC エレクトロニクス株式会社 プロセス技術部*NEC エレクトロニクスアメリカ IBM Alliance Project**

4. (11:20-12:10)
EUV リソグラフィーを用いた 70nm ピッチ Cu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討
中村直文、小田典明、曽田栄一、細井信基、側瀬聡文、青山肇、田中雄介、河村大輔、隣真一、塩原守雄、垂水喜明、近藤誠一、森一朗、斎藤修一
株式会社 半導体先端テクノロジーズ

■ 昼食 12:10 - 13:00

5. (13:00-13:30)
Porous Low-k 膜対応 Direct-CMP プロセス開発
興梠隼人, 千葉原宏幸*, 鈴木繁, 筒江誠, 瀬尾 光平**, 岡好浩*, 後藤欣哉*, 赤澤守昭*, 宮武浩*, 松本晋,上田 哲也
パナソニック株式会社, 株式会社ルネサステクノロジ*, パナソニックセミコンダクター エンジニアリング株式会社**

6. (13:30-14:00)
CuAl 合金配線を適用した 32nm ノード対応高信頼性配線技術の開発
井口学, 横川慎二, 相澤宏和, 角原由美, 土屋秀昭, 岡田紀雄, 今井清隆, 戸原誠人*, 藤井邦弘*, 渡部忠兆**
NEC エレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部, NEC エレクトロニクス株式会社 プロセス技術部*株式会社東芝 半導体研究開発センター**

7. (14:00-14:30)
低抵抗・高信頼 Cu 配線のためのシリサイドキャップ技術
林 裕美、松永範昭、和田真、中尾慎一、坂田敦子、渡邉 桂、
柴田英毅(株)東芝 研究開発センター

8. (14:30-15:00)
Ti ベース自己形成バリアを用いたデュアルダマシン Cu 配線のパフォーマンス
大森和幸, 森健壹, 前川和義, 小濱和之*, 伊藤和博*, 大西隆**, 水野雅夫**, 浅井孝祐, 村上正紀***,
宮武浩株式会社ルネサステクノロジ, 京都大学大学院工学研究科*,株式会社神戸製鋼所 技術開発本部**学校法人 立命館***

■ 休憩 15:00-15:15

9. (15:15-15:45)
次世代 LSI パッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術
山道新太郎, 森健太郎, 菊池克, 村井秀哉, 大島大輔*, 中島嘉樹, 副島康志**, 川野連也***,村上朝夫
日本電気株式会社 デバイスプラットフォーム研究所*, 日本電気株式会社 システム実装研究所*NEC エレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部**, NEC エレクトロニクス株式会社 実装技術部***

10. (15:45-16:15)
低速陽電子ビームを用いた Cu/Low-k 配線構造中の欠陥検出
上殿明良, 井上尚也*, 林喜宏*, 江口和弘*, 中村友二*, 廣瀬幸範*, 吉丸正樹*, 大島永康**,大平俊行**,鈴木良一**
筑波大学物理工学系, 半導体理工学センター（STARC）**, 産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門**

11. (16:15-16:45)
多孔質低誘電率膜 CMP 時の誘電率評価
小寺雅子, 高橋琢視*, 南幅学
東芝 研究開発センター, 東芝 セミコンダクター社**

12. (16:145-17:15)
Ｃｕ／Ｌｏｗ－ｋ配線パターンのラインエッジラフネス評価
山口敦子, 龍崎大介, 武田健一, 川田洋揮*
日立製作所 中央研究所, 日立ハイテクノロジーズ*

13. (17:15-17:20)
閉会の挨拶