１３：００～１３：２５
ヘテロ原子層成長したSi/Ge界面のCAICISSによる評価
東京工業大学
柳瀬慈郎、池田圭司、菅原聡、松村正清

１３：２５～１３：５０
モノメチルシランを用いたSi(100)上3C-SiCヘテロエピ成長の成長機構
東北大学、*仙台電波高専
中澤日出樹、末光眞希、*浅見誠治

１３：５０～１４：１５
W熱CVD装置チャンバー内パーティクルの観測とウエハ上パーティクル数との相関
NEC、*東京エレクトロン(株)、**東京エレクトロン山梨(株)
伊藤奈津子、守屋剛、上杉文彦、*守谷修司、*青森勝、*加藤善規、**立花光博

１４：１５～１４：４０
Siウエハー表面層CMPダメージの光導電評価とGOI
神奈川工科大、*昭和電工
荻田陽一郎、小林謙一、*大王宏

１４：４０～１５：０５
G/S/D上にWを選択成長した20nm-SOI完全空乏型CMOSFETの特性
NTT
高橋光俊、大野晃計、今井和雄

１５：２０～１５：４５
SiONスペーサとライナーを用いたT字型トレンチ分離によるMOSFETの駆動能力の向上と寄生MOSの抑制
三菱電機(株)
塩沢勝臣、大石敏之、阿部雄次、徳田安紀

１５：４５～１６：１０
Cu/SiコンタクトにおけるTiZrNバリヤの成膜温度依存性
北見工業大学
武山真弓、野矢厚

１６：１０～１６：３５
重イオン衝撃によるシリコン酸化膜へのナノサイズ貫通孔の形成
電子総合技術研究所、*筑波大学
粟津浩一、*石井聡、*島邦博

１６：３５～１７：００
SiO2/Si界面の構造遷移層に関する第一原理計算による検討
文部省宇宙科学研究所、*武蔵工業大学
廣瀬和之、*坂野公彦、*野平博司、*服部健雄