2010年2月25日 13:00-18:00
第120回 研究集会
最近の関連国際学会 AVS,DPS からのセレクション。半導体産業における先進のトピックスと他分野へのプラズマプロセスの展開について議論する。
開催場所
東京大学浅野キャンパス工学部９号館１階大会議室
（東京都文京区弥生 2-11-16、千代田線根津駅或いは南北線東大前駅下車） http://www.u-tokyo.ac.jp/campusmap/cam01_04_10_j.html| テーマ | エッチング技術の最近のトピックスと将来展開 |
|---|---|
| 担当 | ナノ・マイクロファブリケーション研究委員会 |
プログラム
13:00-13:05
開催主旨 （ソニー 辰巳哲也）
13:05-13:45
HARC 加工におけるウエハエッジ部でのチルティング制御（仮）（日立中研 前田賢治）
13:45-14:25
高アスペクトエッチにおける Distortion/Twisting のメカニズム解析（TEL 持木宏政）
14:25-15:05
22nm ノード以降のゲートエッチング技術の課題と対応策 (Gate Etch Challenges at the 22nm Node and Beyond) （LAM 野尻一男）
15:05-15:20 休憩
15:20-16:00
容量結合プラズマ（CCP)と誘導結合プラズマ（ICP)に対するソース/バイアス同期パルスの研究とゲートエッチへの応用 （AMAT 堀岡啓治）
16:00-16:40
DC パルス印加 CCP による 32 nm ノード以降のデバイスエッチングにおけるイオンエネルギー制御 （仮） （東芝 林久貴）
16:40-17:20
マイクロシステムへのナノ構造集積化と応用技術 （東北大 小野崇人）
17:20-18:00
プラズマプロセスの将来展開 （仮） （名大 堀勝）
閉会の辞
終了後 懇親会 (参加費 2000 円)