13:00-13:05
開催主旨 （ソニー 辰巳哲也）

13:05-13:45
HARC 加工におけるウエハエッジ部でのチルティング制御（仮）（日立中研 前田賢治）

13:45-14:25
高アスペクトエッチにおける Distortion/Twisting のメカニズム解析（TEL 持木宏政）

14:25-15:05
22nm ノード以降のゲートエッチング技術の課題と対応策 (Gate Etch Challenges at the 22nm Node and Beyond) （LAM 野尻一男）

15:05-15:20 休憩

15:20-16:00
容量結合プラズマ（CCP)と誘導結合プラズマ（ICP)に対するソース/バイアス同期パルスの研究とゲートエッチへの応用 （AMAT 堀岡啓治）

16:00-16:40
DC パルス印加 CCP による 32 nm ノード以降のデバイスエッチングにおけるイオンエネルギー制御 （仮） （東芝 林久貴）

16:40-17:20
マイクロシステムへのナノ構造集積化と応用技術 （東北大 小野崇人）

17:20-18:00
プラズマプロセスの将来展開 （仮） （名大 堀勝）

閉会の辞