11月11日(木) （10：00～15：30）

－－－　イントロダクトリー・トーク　（ 5分 ）　－－－

(1) 10:05 - 10:55
［招待講演］2010 SISPADレビュー
○鎌倉良成（阪大）

(2) 10:55 - 11:45
［招待講演］ばらつき・信頼性シミュレーション技術の最新動向　～ SISPAD2010併設ワークショップ1のレビュー ～
○鳥山周一（東芝）

－－－　昼食　（ 75分 ）　－－－

(3) 13:00 - 13:50
［招待講演］磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM（SPRAM）
○石垣隆士・河原尊之・竹村理一郎・小埜和夫・伊藤顕知（日立）

(4) 13:50 - 14:40
［招待講演］MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法
○寺本章伸・阿部健一・須川成利・大見忠弘（東北大）

(5) 14:40 - 15:30
［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解
○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥　雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大）

11月12日(金) 午前 （10：30～15：55）

(6) 10:30 - 10:55
高速応答の低ドロップアウト(LDO)レギュレータに関する研究
○フジウェイ トン（電通大）

(7) 10:55 - 11:20
形状シミュレーションによるSiO2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング
○市川尚志・一之瀬大吾・川端研二・玉置直樹（東芝）

(8) 11:20 - 11:45
自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション
○坪井秀行・稲葉賢二・伊勢真理子・林　由紀江・鈴木裕佳・佐藤裕美・小原幸子・南雲　亮・三浦隆治・鈴木　愛・畠山　望・遠藤　明・高羽洋充・宮本　明（東北大）

－－－　昼食　（ 75分 ）　－－－

(9) 13:00 - 13:50
［招待講演］VLSI設計自動化の現状と将来展望
○高橋篤司（阪大）

(10) 13:50 - 14:15
インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング
○田中克彦・中村英之・上村大樹・竹内　幹・福田寿一・熊代成孝・最上　徹（MIRAI-Selete）

(11) 14:15 - 14:40
HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化
○田中昭洋・折付泰典・菊地原秀行・三宅正尭・マタウシュ ハンス ユルゲン・三浦道子（広島大）・リウ ヨン・グリーン キース（TI）

(12) 14:40 - 15:05
SPICEモデルを用いた特性合わせ込みにおける誤差指標の提案
○坂本浩則・飯塚貴弘（ルネサス エレクトロニクス）

(13) 15:05 - 15:30
シリコンナノワイヤFETにおけるホール電流のひずみ依存性
○三成英樹（阪大/JST）・北山達郎・山本将央（阪大）・森　伸也（阪大/JST）

(14) 15:30 - 15:55
GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討　～ モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察 ～
○仲野駿佑・大村泰久（関西大）

一般講演：発表 20 分 ＋ 質疑応答 5 分