第129回 研究集会
不揮発メモリやシステムオンチップの性能・機能を、スケーリングとは異なる方法で向上させる技術(エマージング技術)とそれを支える回路技術とを今回の講演テーマとした。エマージング技術にとってまず重要なのは、その技術を最大限に生かせ、独自の機能を如何に発揮できる応用は何か、あるは逆にメモリやシステムオンチップに必要な技術は何かを見極めることであろう。ここで、エマージング技術は、所望のコストで、CMOSとの混載・集積化できなくてはならない。次に重要であるのは、エマージング技術を生かす、あるは、支える回路技術である。エマージング技術による性能向上・多機能化を最大限に引き出すことが回路技術に求められる。 今回、デバイス技術者、回路技術者の方々から、最新の研究をご紹介いただき、エマージング技術を如何に実用化に繋げていくのかを議論したい。
開催場所
早稲田大学 早稲田キャンパス 研究開発センター120-5号館
〒162-0041 東京都新宿区早稲田鶴巻町513東京メトロ東西線「早稲田駅」3a出口徒歩3分 http://www.waseda.jp/jp/campus/waseda.html
| テーマ | エマージング技術とその回路技術 |
|---|---|
| 参加費 | 通常分科会員2000円，非分科会員4000円。 |
| オーガナイザー | 高橋庸夫（北海道大学）、阪本利司（LEAP） |
| 担当 | シリコンナノテクノロジー委員会 |
プログラム
(1) はじめに (13:00～13:05)
阪本利司（LEAP）
(2) 講演者と講演題目（仮題）
（13:05～18:10） 講演時間 40分/人程度を予定
13：05-13：45 福住 嘉晃（東芝） 3次元NANDフラッシュメモリ技術
13：45-14：25 杉林 直彦（NEC） 不揮発論理集積回路技術
14：25-15：05 水野 真（ルネサス）マイコン用Embbedded-Flash技術と今後の展望
15：05-15：20 休憩
15：20-16：00 関谷 毅（東大） 有機メモリを用いたフレキシブルエレクトロニクスのインテリジェント化
16：00-16：40 高浦 則克（LEAP） 相変化デバイスの動向
16：40-17：30 小池 汎平（産総研) 4端子ダブルゲート素子の回路技術とFPGAへの応用
17：30-18：10 阪本 利司（LEAP） プログラマブルLSIのためのNanoBridge技術