2011年3月4日（金） 13:00～17:00
第134回 研究集会
| テーマ | 先端半導体デバイスの微細化に伴うシリコン基板への要求～どこまで究極的にウェーハ平坦化が必要なのか～ |
|---|---|
| 参加費 | 通常分科会員 2000 円，非分科会員 4000 円。 |
| お問い合わせ先 | 学習院大学 理学部物理学科 教授 渡邉 匡人 〒171-8588 東京都豊島区目白 1-5-1 学習院大学理学部 電話： 03-3986-0221（内線 6459） E-mail： Masahito.Watanabe@gakushuin.ac.jp |
プログラム
１．13:00～13:50
日本電子材料業界はこれからの10年も強いのか？
JPモルガン証券 尾脇庸仁
２．13:50～14:20
ウェーハ積層を用いた三次元集積技術
東京大 大場隆之
３．14:20～14:50
半導体露光装置で露光中の像面形状のウェーハ全面測定
東芝 野村 博
（休憩）
４．15:10～15:40
シリコンウェーハ研磨の課題と高性能化
フジミインコーポレート 髙橋 修平、森永 均
５．15:40～16:10
機械屋が考えるSiウェーハエッジの平坦化
大阪大 榎本俊之，佐竹うらら
６．16:10～16:40
次世代ウェーハの平坦度とエッジの測定
ケールエー・テンコール 吉瀬正典
７．16:40～17:00
Siウェーハの機械的強度
コバレントシリコン 荒木浩司
懇親会： (17:30～19:30) 参加費 4,000円。