2012年6月14日（木） 14:30-17:30
第148回 研究集会
| テーマ | イメージセンサー-パワーデバイスに今求められる接合形成技術 |
|---|---|
| 参加費 | 分科会会員 2000円、非会員 4000円 |
| オーガナイザー | 水野文二（パナソニックFS） |
| 担当 | (コーディネーター)：柴田 聡（パナソニック）、濱本 成顕(日新イオン機 器)、張 利（東芝）岡部 堅一（富士通セミコンダクター） |
| 主催 | 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 |
| 共催 | EEE EDS Kansai Chapter |
| 協賛 | SEMIジャパン |
プログラム
14：30～14：40
☆ ご挨拶（東京工業大学 西村 正）
14：40～15：10
☆ イメージセンサーデバイスにおける微量欠陥の影響と評価（パナソニック 柴田 聡）
15：10～15：40
☆ フリーキャリア吸収法による微量欠陥評価（東京農工大学 鮫島俊之）
休憩 15：40～15：55
15：55～16：25
☆ カソードルミネッセンス(CL)法を用いたSiデバイス欠陥評価の現状と課題（東レリサーチ 杉江隆一）
16：25～16：55
☆ 走査型拡がり抵抗顕微鏡（ＳＳＲＭ）によるＳｉデバイスの拡散層解析（東芝研究開発センター 張 利)
16：55～17：25
☆ Ⅲ-Ⅴ窒化物における欠陥評価最先端（東北大学 秩父重英）
☆ ご挨拶 水野文二（パナソニックFS 接合技術専門委員会委員長）
懇親会：4000円 ホテル京阪天満橋「菊の間」
http://www.hotelkeihan-t.com/access/index.htm
http://www.hotelkeihan-t.com/access/index.htm
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