09:00-09:20 Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価
福嶋太紀（名大）・大田晃生（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大）

09:20-09:40 貼り合せ直接接合SrTiO3(001)基板を用いた抵抗スイッチング特性評価
淺田遼太・Pham Phu Thanh Son・Kokate Nishad Vasant・吉川　純・竹内正太郎・中村芳明・酒井朗（阪大）

09:40-10:00 Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動
池田弥央（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大）

10:00-10:20 リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製
上武央季・上沼睦典・鄭　彬・石河泰明・山下一郎・浦岡行治（奈良先端大）

10:20-10:40 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価
箕浦佑也・糟谷篤志・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大）

10:40-10:55 休憩　（ 15分 ）

10:55-11:15 Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
柴山茂久・加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚理・財満鎭明（名大）

11:15-11:35 TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御
村上秀樹・三嶋健斗・大田晃生・東　清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）

11:35-11:55 ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚　理・財満鎭明（名大）

11:55-12:15 TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化
細井卓治・大嶽祐輝・有村拓晃・力石薫介・北野尚武・志村考功・渡部平司（阪大）

12:15-12:35 (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価
木村将之（芝浦工大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦・成島利弘・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）

12:35-13:35 昼食　（ 60分 ）

13:35-13:55 第一原理計算によるゲルマニウム表面でのドーパント不純物偏析挙動の解析
飯島郁弥（東京都市大）・牛尾二郎（日立）・丸泉琢也（東京都市大）

13:55-14:15 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御
大田晃生・松井真史・村上秀樹・東　清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）

14:15-14:35 金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係：第一原理計算による理論的検討
小日向恭祐・中山隆史（千葉大）

14:35-14:45 小休憩　（ 10分 ）

14:45-15:05 As+イオン注入したGe(100)の化学分析
小野貴寛・大田晃生・村上秀樹・東清一郎（広島大）・宮崎誠一（名大）

15:05-15:30 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価
筒井一生・金原　潤・宮田陽平（東工大）・野平博司（東京都市大）・泉雄大・室隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・パールハット アヘメト・角嶋邦之・服部健雄・岩井洋（東工大）

15:30-15:55 エピタキシャルNiSi2ソース／ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減
水林亘・右田真司・森田行則・太田裕之（産総研）

15:55-16:20 シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動　～ 熱酸化過程での偏析挙動 ～
深田直樹（物・材機構）・滝口亮・石田慎哉・横野茂樹（筑波大）・関口隆史（物質・材料研究機構）・村上浩一（筑波大）

16:20-16:35 休憩　（ 15分 ）

16:35-16:55 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
田村雄太・吉原亮・角嶋邦之・パールハットアヘメト・片岡好則・西山彰・杉井信之・筒井一生・名取研二・服部健雄・岩井　洋（東工大）

16:55-17:15 微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性
入沢寿史・小田穣・手塚勉（産総研）

17:15-17:40 TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用
山本圭介・井餘田昌俊・王冬・中島寛（九大）

17:40-18:00 ダイヤモンド半導体/金属界面の電気特性制御
松本翼（筑波大）・加藤宙光・小倉政彦・大串秀世・山崎聡（産総研）